《FPGA全程进阶---实战演练》第二十一章之 几种常用电平分析及特性

本文介绍了数字电路中的TTL、CMOS、LVTTL和LVCMOS电平及其特性。TTL速度快、驱动能力强但功耗大,CMOS输入阻抗大、功耗小。在电平不匹配时,可以通过串联电阻进行转换。此外,文章还讨论了拉电流和灌电流的概念,以及高速电路中CMOS和TTL的局限性,并提醒硬件工程师关注器件手册中的关键参数。
摘要由CSDN通过智能技术生成

TTL,CMOS以及LVTTL,LVCMOS

  TTL和CMOS是数字电路中两种常见的逻辑电平,LVTTL和LVCMOS是两者低电平版本。TTL是流控器件,输入电阻小,TTL电平器件速度快,驱动能力大,但功耗大。CMOS是MOS管逻辑,为压控器件,且输入电阻极大,CMOS电平器件速度慢,驱动能力不足TTL,但功耗小。正是由于CMOS器件输入阻抗很大,外界微小的干扰就有可能引起电平的翻转,所以CMOS器件上未使用的输入引脚应做上下拉处理,不能浮空。

  由于TTL和CMOS电平在0或1时不一样,所以需要满足VOH(发送方) > VIH(接收方),且提供一定的噪声容限,发送方VOL小于接收方VIL,且提供一定的噪声容限。

  高逻辑电平驱动低逻辑电平时,可串联50~330Ω电阻进行电平的转换。其中JTAG就是一个例子,在使用Cyclone III代芯片时,JTAG为2.5V电平,而Cyclone III是3.3V电平,使用时需要串接电阻,以实现电平的转换。串联电阻有时对于驱动能力较强的元器件如74LVT系列,为了消除信号振铃,可以串联电阻消除信号振铃现象。

  与驱动能力相关的两个名词:拉电流与灌电流。

  拉电流:拉电流是指电流方向为负,电流流出器件,称为拉电流,比如IOH;

  灌电流:灌电流指的是电流方向为正,电流流入器件,称为

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