作业2
1、用补码一位乘法和阵列乘法计算X*Y。
(1)X= -0.1010,Y= -0.0110(2)X= 0.1011,Y= -0.0101
P144
4.6 要求用128K*16位的SRAM芯片设计512K*16位的存储器,SRAM芯片有2个控制端:当C=1时该片选中;当W/R=1时执行读操作,当W/R=0时执行写操作。用64K*16位的ROM芯片组成128K*16位的只读存储器。ROM存储单元地址从0开始连续编址,SRAM存储单元地址接在其后连续编址,试问:
(1)数据寄存器多少位?
(2)地址寄存器最少需要多少位?
(3)共需要多少片ROM?多少片RAM?
(4)画出此存储器组成框图。
(5)各芯片的存储地址范围分别是多少?
4.8 某机器中,已知道有一个地址空间为0000H~1FFFH的ROM区域,现在再用RAM芯片(8K×8)形成一个16K×16的RAM区域,起始地址为2000H,假设RAM芯片有CS#和WE#信号控制端。CPU地址总线为A15~A0,数据总线为D15~D0,控制信号为R/W#(读/写),MREQ#(当存储器进行读或写操作时,该信号指示地址总线上的地址是有效的)。要求:
(1)设计满足已知条件的存储器,画出地址译码方案。
(2)画出ROM和RAM同CPU连接图。
4.10 刷新存储器的重要性能指标是它的带宽。实际工作时,显示适配器的几个功能部件要采用刷新存储器的带宽。假定总带宽60%用于刷新屏幕,保留40%带宽用于其他非刷新功能。若显示工作方式采用分辨率为1024*1024,颜色深度为3B,刷新速率为72Hz,计算刷新存储器总带宽是多少?
1、有一个512K×16的存储器,由64K×1的2164RAM芯片构成(芯片内是4个128×128结构)。
(1) 总共需要多少个RAM芯片?
(2) 采用分散刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号的周期是多少?
(3) 如采用集中刷新方式,设读/写周期T=0.1μs,存储器刷新一遍最少用多少时间?
实验题目
2、(1)用Verilog HDL语言编写题4.6中的ROM模块和RAM模块(去掉K),并用这2个模块编写该存储器的代码,并编写测试代码进行测试。
(2)在ROM中用2个单元分别存放“1314”和“LOVE YOU”,下载到实验箱中每隔10s循环在数码管上显示。