高位交叉和低位交叉_4.3.2 例题解析（2）

4.3.2  例题解析(2)

【例4-3-11】由4个模块组成的多体交叉存储器采用低位地址作为体地址(体号)，数据按  ①  顺序存放，可以  ②  。

解：本题答案为：① 存储模块编号 ② 提高存取速度。

【例4-3-12】多体并行方式有两种，其中高位交叉编址的多体存储器中，程序  ①  存放，而低位交叉编址的多体存储器中，程序  ②  。

解：本题答案为：① 按体内地址顺序 ② 连续存放在相邻体中。

3. 判断题

【例4-3-13】判断以下叙述是否正确。

(1)在双口RAM中，当两个端口不同时对同一地址单元存取数据时就不会出现读/写冲突。

(2)采用多体交叉存储器时，当连续访问的存储单元位于同一存储体时可获得较高的存取速度。

(3)采用多体交叉存储器不仅能提高读/写速度，而且不会出现冲突。

(4)有M个存储体的高位交叉编址的多体存储器是采用模M编址方式。

解：(1)正确。

(2)错误。采用多体交叉存储器时，当连续访问的存储单元位于不同的存储体时可获得较高的存取速度。

(3)错误。

(4)错误。有M个存储体的低位交叉编址的多体存储器是采用模M编址方式。

4. 回答题

【例4-3-14】并行存储器有哪几种编址方式？简述低位交叉编址存储器的工作原理。

解：并行存储器有单体多字、多体单字和多体多字等几种系统。多体交叉访问存储器可分为高位交叉编址存储器和低位交叉编址存储器。低位交叉编址又称为横向编址，连续的地址分布在相邻的存储体中，而同一存储体内的地址都是不连续的。存储器地址寄存器的低位部分经过译码选择不同的存储体，而高位部分则