【408笔记】计算机组成原理 第三章 存储系统

3.1 存储器概述

3.1.1 存储器分类

按照在计算机中的作用（层次）分类

1. 主存储器。简称主存、内存。用来存放计算机运行期间所需的程序和数据。CPU可以直接随机对其进行访问，也可以和高速缓冲存储器（Cache）及辅助存储器交换数据。容量小，存取速度快，每位价格高。
2. 辅助存储器。简称辅存，外存。存放当前暂时不用的程序和数据，以及需要永久保存的信息。辅存的内容需要调入主存才能被CPU访问。容量大，存取速度慢，单位成本低
3. 高速缓冲存储器。简称Cache，位于主存和CPU之间，存放当前CPU经常使用的指令和数据，以便CPU快速访问。现代计算机通常集成在CPU中

按照存储介质分类

可分为：磁表面存储器（磁盘、磁带）、磁芯存储器、半导体存储器（MOS、双极型）、光存储器（光盘）

按照存取方式分类

1. 随机存储器（RAM）：存储器的任何一个单元都可以随机存取。常用作主存和高速缓存。又分SRAM和DRAM
2. 只读存储器（ROM）：只能随机读出而不能写入，即使断电，也不会丢失信息
3. 串行访问存储器：读写时需要按照物理地址先后进行，包括顺序存取存储器（SAM）（例如磁带）和直接存取存储器（DAM）（例如磁盘、光盘（CD-ROM））

1. 磁盘属于 直接存取存储器（DAM）
2. 相联存储器是按照 内容指定方式和地址指定方式相结合 进行寻址的存储器
3. CD-ROM，即光盘，不属于只读存储器ROM

按照信息的可保存性分类

1. 易失性存储器：断电后失去存储信息，例如RAM

2. 非易失性存储器：断电后不会失去存储信息，例如ROM、磁表面存储器、光盘

3. 破坏性读出：读出信息时，原信息丢失，必须再生

4. 非破坏性读出：读出信息时原信息不丢失

3.1.2 存储器性能指标

1. 存储容量 = 存储字长*字数（例如1M*8位）。存储字数表示存储器的地址空间大小，字长表示一次存取操作的数据量
2. 单位成本
3. 存储速度：数据传输率（主存带宽）=数据宽度/存储周期。存储周期包括存取时间和恢复时间。对于破坏性读出的存储器，存取周期往往比存取时间大的多，可以达到2倍

3.1.3 多级层次的存储系统

CPU-寄存器-Cache-主存-磁盘-磁带、光盘。从左向右，速度越来越慢，容量越来越大，价格越来越低。

存储系统层次结构主要体现在Cache-主存层（解决CPU和主存速度不匹配的问题）和主存-辅存层（解决存储系统容量问题）

主要思想：上一层存储器作为低一层存储器的高速缓存。

从CPU角度看，Cache-主存层速度接近Cache，容量和价格却接近主存；从主存-辅存层分析，其速度接近主存，价格和容量却接近辅存。这就解决了速度、容量和成本之间的矛盾

主存和Cache之间的数据调用是硬件自动完成的，对所有程序员都是透明的。主存和辅存的数据调用由硬件和操作系统完成，对于应用程序员是透明的

虚拟存储系统：编程的地址范围与虚拟存储器的地址空间相对应

3.2 主存储器

主存储器由DRAM实现，Cache由SRAM实现，都属于易失性存储器，断电丢失信息。

ROM属于非易失性存储器

逻辑上主存由ROM和RAM组成，且二者常统一编址

3.2.1 SRAM芯片和DRAM芯片

存储元：存放一个二进制位的物理器件。是存储器最基本的构建

存储单元：地址码相同的多个存储元组成一个存储单元。若干存储单元的集合构成存储体

SRAM的工作原理

静态随机存储器SRAM采用双稳态触发器来存储信息，属于是非破坏性读出

SRAM存取速度快，集成度低，功耗大，价格高，一般用作Cache

DRAM的工作原理

动态随机存储器DRAM采用栅极电容电荷来存储信息，属于是破坏性读出

DRAM存取速度慢，一般用作主存

DRAM刷新

DRAM电容上的电荷一般只能维持1-2ms，即使不断电也会丢失信息，为此必须隔一段时间刷新，通常取2ms。

常见的刷新方式有以下三种

1. 集中刷新：利用一段固定的时间，依次对存储器的所有行进行逐一再生。此时停止对存储器的读写操作，称为死时间，又称访存死区
2. 分散刷新：对每行的刷新分散到各个工作周期中。一个存储器的系统工作周期分为两部分，前一半用来正常读写，后一半用来刷新。分散刷新增加了系统的存取周期，但没有死区
3. 异步刷新：利用最大刷新间隔为2ms的特性。刷新周期除以行数，得到两次刷新操作之间的最大间隔t，每t秒进行一次刷新

DRAM的刷新需要注意：

1. 刷新对于CPU是透明的，不依赖外部访问
2. DRAM刷新以行为单位，芯片内部自己生成行地址
3. 刷新类似读操作，占一个读写周期，但有所不同。刷新不需要选片，即存储器中所有芯片同时被刷新

1. DRAM采用分散刷新时，不存在死区时间

DRAM的读写周期（待补

SRAM和DRAM的比较

核心在于存储介质的不同

	SRAM	DRAM
存储信息	触发器	电容
读出是否破坏	非破坏性读出	破坏性读出
是否需要刷新	不需要刷新	需要刷新
送行列地址	同时送	分两次（地址线复用）
运行速度	快	慢
集成度	低	高
存储成本	高	低
主要用途	Cache	主存

补充DRAM地址线复用技术

1. SDRAM表示同步动态随机存储器，属于DRAM

存储器芯片的内部结构（待补充

3.2.2 只读存储器ROM

ROM的特点

ROM和RAM都支持随机存取，而RAM易丢失存储信息，ROM一旦有信息，就难以改变，掉电也不会丢失。

1. 结构简单，位密度比RAM的高
2. 具有非易失性，可靠性高

ROM的类型

根据制造工艺的不同，ROM可以分为：掩模式只读存储器（MROM）、一次可编程只读存储器（PROM）、可擦除可编程存储器（EPROM）、Flash存储器以及固态硬盘（SSD）

1. 掩模式只读存储器（MROM）：生产时写入，之后无法更改
2. 一次可编程只读存储器（PROM）：允许用户一次写入，之后就无法再修改
3. EPROM：可紫外线擦除（UVEPROM），电擦除（$E^2$PROM）
4. Flash：U盘、SD卡。断电后可保存信息，可多次重写。由于闪存需要先擦除再写入，因此写操作比读操作慢。存储元位密度比RAM高
5. SSD：固态硬盘

重要ROM

主板上的BIOS芯片（ROM）存储“自举装入程序”，负责引导装入操作系统（开机）

3.2.3 主存储器的基本组成

考点：

1. 芯片的大小描述，引脚数（注意读写控制线是否集成一条
2. 某一DRAM芯片，采用地址复用技术，容量为1024*8位，除了电源和接地线，该芯片引脚数最少为（读写为2条）：1（片选）+1（行/列选择）+10/2（地址线）+8（数据线）+2（读写控制线）=17
3. （14统考）某容量256MB的存储器由若干4M*8位的DRAM芯片组成，该DRAM芯片的地址引脚数为：22/2=11位（注意DRAM地址复用）、数据引脚数为：8位

3.2.4 多模块存储器

多体并行存储器

单体多字存储器

1. 存储器中只有一个存储体，每个存储单元存储m个字，总线宽度也为m个字，一次并行读出m个字，地址必须顺序排列处于同一个单元
2. 缺点是：指令和数据在主存内必须顺序存放，遇到转移指令或者操作数不能连续存放，效果就不理想