在下列集成电路说法中不正确_模拟集成电路复习题1

一.选择题(每题2分,共30分)

1.下列关于双极型模拟集成电路隔离区划分原则中不正确的说法是( )

A．NPN管V C相同时, 可以放在同一隔离区

B. NPN管V C和PNP管的V E相同时, 可以放在同一隔离区

C. MOS电容需要单独一个隔离区

D. 硼扩散电阻原则上可以放在同一隔离区

2.在版图设计中, 设计规则检查称为()

A. EXTRACT

B. ERC

C. DRC

D. LVS

3.差分对中, 不影响其共模抑制比的因素为( )

A．差分管的对称性

B.电流源的交流阻抗

C.输入电压幅度

D.电阻R C1和R C2的对称性

4.在PMOS中, 衬底上加上正电压偏置, 会使阈值电压( )

A. 增大 B 不变 C 减小 D 可大可小

5.随着微电子工艺水平提高, 特征尺寸不断减小, 这时电路的工作电压会()

A不断提高 B. 不变 C. 可大可小 D. 不断降低

6.下列()技术指标不能描述集成电路工艺水平？

A．集成度 B.特征尺寸 C. 芯片面积 D. 输入阻抗

7.CMOS推挽放大器NMOS管和PMOS管分别工作于( ).

A . NMOS管工作于截止区和线性区; PMOS管工作于截止区和线性区

B. NMOS管工作于饱和区和线性区; PMOS管工作于饱和区和线性区