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RSS订阅原创 【模拟IC】国微微电子模拟IC岗笔试复盘
对2023的国微微电子的笔试题进行复盘，答案仅供参考，题型分别有选择题，填空题，简答题以及分析题。一共一百分。麻烦大家点点关注，祝大家拿下大厂sssp,拿下心仪的工作。
2023-07-25 23:10:02
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原创 【模拟IC】带隙基准的非理想因素以及解决办法
实际设计带隙基准电路中，存在非理想的因素，导致它不能精准输出电压。本文简要介绍带隙基准客观存在的非理想因素，并介绍减小非理想因素的解决方法。
2023-04-19 22:29:13
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原创 【模拟IC】高级CMOS器件模型
从图一可以看出，哪个是NMOS,哪个是PMOS吗？CMOS电路中既包含NMOS晶体管也包含PMOS晶体管，NMOS晶体管是做在P型硅衬底上的，而PMOS晶体管是做在N型硅衬底上的，要将两种晶体管都做在同一个硅衬底上，就需要在硅衬底上制作一块反型区域，该区域被称为“阱”。根据阱的不同，CMOS工艺分为P阱CMOS工艺、N阱CMOS工艺以及双阱CMOS工艺。其中N阱CMOS工艺由于工艺简单、电路性能较P阱CMOS工艺更优，从而获得广泛的应用。所以图一做在P衬底上的是NMOS，做在N阱上的是PMOS。在图二中
2023-03-29 17:11:06
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原创 【模拟IC】DCDC电荷泵设计指标介绍与解析
设计一个 DC-DC 转换器，例如电荷泵，理解设计指标的重要性是很关键的。随后，彻底熟悉如何使用正确的设计指标来评估电荷泵的性能。
2023-03-17 16:20:04
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原创 【模拟IC】二级运放4：一切从手算开始
经过千辛万苦的推导、简化，我们终于得到了ωz、ωnd与GBW的小信号表达式，为方便同学们回顾，总结如下：在这里，细心的同学们想必已经发现，其中存在gm1、gm2、Cc以及Cn1四个未知数，而我们为满足相位裕度以及GBW的要求，只有三个方程，即：以及GBW本身，这里留有余量，设题目要求的GBW为GBWspec，则认为：尽管只存在三个方程，但四个未知数中的Cn1，尽管会随着gm1、gm2乃至前后级管子尺寸的影响，但事实上变化范围不大，合理的设计通常在Cc的0.1倍到0.3倍之间（这是一个经验性结论），
2023-02-27 21:00:11
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原创 【模拟IC】二级运放设计的关键点——GBW与PM！
本章接下来的内容，将着重介绍如何得到要求的GBW与PM，同学们可以参照对比sansen第五、六章学习，但抛开课本，也完全可以理解本部分的内容。我们会将重点放在如何通过给定的指标——相位裕度以及GBW，得到合适的小信号参数——第一级跨导gm1、第二级跨导gm2以及密勒补偿电容Cc，而抛开诸如“开环频率响应与闭环频率响应的关系”、“为什么需要70°的相位裕度，频率响应才能完全没有尖峰”以及“频率特性与其他指标如何折中”等问题。
2023-01-30 10:19:17
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原创 【模拟IC】二级运放2：单位增益负反馈
最简单的说，假设M6饱和且尺寸确定，由于Vgs6确定，则M6的饱和电流确定，相当于确定了M2的饱和电流，而Vgs2也被Vgs3确定，那么M2的宽长比就被确定了，只有在考虑沟长调制效应时，这一宽长比才可以在一个很小的范围内变化，超出范围则无法同时饱和！同学们可以发现，此时我们的Vgs2不再是一个确定的值，而变成了一个较大的范围，也就是说，固定的M6饱和电流下，M2可选的宽长比也是一个较大的范围了！第二，由于尺寸减小，而我们的Vgs没有动，则饱和电流减小，而负载管的电流是固定的，只能让负载管进入线性区。
2023-01-29 23:09:06
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原创 【模拟IC】gm/id设计方法（简便、ic61版）
由图可以看到，对于我们的gmro来说，随着L越大，晶体管的本征增益也在变大，即沟长增大，它的增益也在变大（因为增大了ro）。同时我们的vgs也会影响增益，L不变，vgs增大，过驱动增大，减小gm,使得增益减小。随着L增大，fT在下降。因为沟长增大，寄生电容也在增大，导致截止频率在减小。对于固定L来说，增大过驱动电压，可以使得晶体管工作在更快的频率上。可以证明当我们的W在变化时，只要在Vgs和L不变的情况下，可以看到对gmro和fT的结果是影响不大的。gmid跟L乘弱相关关系，与过驱动呈正相关。
2023-01-12 00:23:15
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原创 【模拟IC】运算放大器设计指标简析之直流特性
运算放大器是模拟集成电路中广泛使用的单元电路。由于运算放大器的各种性能参数之间相互制约，因此针对不同的使用场合，要对运算放大器的结构的性能进行优化，在优先保护某些性能的同时会牺牲其它方面的性能。运算放大器的性能参数反映了运算放大器在直流或低频、高频、瞬态、线性度、噪声及功耗等诸多方面的性能。本篇文章将分析运算放大器的主要性能参数、形成机理（或影响因素）及制约关系。
2022-12-19 22:54:52
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原创 【模拟IC】时钟馈通效应减小及仿真验证
时钟馈通和电荷注入一样，时钟馈通效应也产生速度和精度之间折中问题。ps：希望对大家有用，欢迎批评，交流指正，随时私信博主。
2022-11-22 21:08:55
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原创 【模拟IC】MOM 电容 和 MIM 电容的简介与比较
越高级的工艺越倾向于使用 MOM 电容而不是 MIM 电容，为什么？本文告诉你答案！
2022-10-31 21:48:37
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原创 【模拟IC】模拟集成电路噪声分析及共源放大器噪声计算
通过本文可以学习到噪声的来源以及类型，输入噪声的等效和影响因素和公式推导。在设计中，我们要考虑噪声的因素，我们主要看输入级的一个噪声，然后针对影响因素来降低噪声。
2022-10-31 01:23:22
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原创 【模拟IC】Widlar 电流源经典结构分析
我们为什么采用电流源偏置而不是电压偏置？因为电流源偏置比电压偏置更可靠，鲁棒性更强，电压偏置容易受到干扰，也容易受到IRdrop(电压降）的影响，电流源对IRdrop不敏感，也不容易受到干扰，所以要用电流源。从分析可知，结构一环路增益小于1是稳定的，大于1是不稳定的，而为什么正反馈的增益大于1小于1会导致稳定性问题呢，可以查看以下链接：https://blog.csdn.net/heqianwan/article/details/127355619?
2022-10-23 21:54:04
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原创 【模拟IC】Virtuoso中如何建立config
config视图允许您在网络列表期间为不同的单元格使用不同的视图。当ADE直接网列原理图时，每个实例都必须根据已指定的viewList和stopList值进行网列。当通过配置视图进行网络列表时，用户可以为不同的实例设置不同的视图。例如，一个原理图包含3个单元格a、B和c。在配置视图中，我们可以设置cellA使用verilog视图，cellB使用原理图视图，cellC使用提取视图。这为进行模拟提供了很大的灵活性。
2022-10-13 12:05:29
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原创 【模拟IC】系统频率稳定性分析与极点补偿技术介绍
通过这个文章你可以学习到极点对于系统稳定性的影响，以及主要的一阶系统和二阶系统的稳定性是怎么样的一个变化过程。以及在补偿技术中解释了为何主极点和次极点要离的足够远。最后我们也可以知道零点对于系统稳定的贡献。
2022-09-30 22:33:14
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原创 【模拟 IC】运放的失调电压分析与减小
在ic设计中，我们需要考虑到offset的影响，本文针对失调电压的因素进行分析，最后给出失调电压的减小方法。
2022-08-25 01:41:16
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原创 总分（机试练习3）
题目描述输入10个学生的学号和5门课程的成绩，统计输出5门课总分最高和最低的学生的学号和他们的总分。输入每行6个整数，共10行。其中，每行第一个整数表示学生的学号，剩下的5个数表示他5门课程的成绩。输出两行，每行两个整数。其中第一行为总分最高的学生的学号，和他的总分，用空格隔开。第二行为总分最低的学生的学号，和他的总分，用空格隔开。样例输入 Copy99211201 1 2 3...
2020-03-08 10:30:11
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原创 倒数数列（上机复习2）
题目描述编写程序计算并输出s=∑k=1n1/k=1+1/2+1/3+…+1/n 的值。要求定义并调用函数total(n)计算1+1/2+1/3+…+1/n注意：此题的main函数如下所示：int main(){int n;scanf("%d",&n);printf("%.3lf\n",total(n));return 0;}输入正整数n，表示前n项求和输出s，表...
2020-03-07 21:01:28
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原创 排列数（上机复习）
题目描述编写程序计算排列数Pmn =M! / (m-n)!要求定义函数fact(n)计算n的阶乘。注意：此题用C语言完成时，只提交头文件和fact(int n)函数，系统将自动附加下面的main函数后运行，请复制下面的main函数用于调试fact函数。其他语言的答案无此要求。int main(){int i,n,m;scanf("%d%d",&m,&n);prin...
2020-03-07 20:41:03
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模拟IC复旦大学模拟电路二级运放设计教程
2023-03-11
模拟IC蒙特卡洛分析比较器的输入误差
2023-02-27
空空如也
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