本文详细介绍了LTE系统中的常见干扰排查，包括高斯白噪声的功率谱密度计算，以及在不同带宽下的系统底噪水平。在常温下，20MHz带宽的系统底噪为-101dBm/20MHz，15KHz子载波的底噪为-132.2dBm/子载波，而单个RB（资源块）的底噪为-121.4dBm/RB。此外，还讨论了噪声系数对底噪的影响，以及LTE TDD系统在1.4MHz和3MHz带宽下的过低门限。
LTE
常见干扰排查(中国移动)
日期：
2017-01-12 11:04
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在任何通信系统中，
都存在环境背景噪声，
我们一般称之为高斯白噪声。
高斯白
噪声的功率谱密度可用下面的公式来表达：
kT
，其中
k=1.38
×
10
-23
J/
0
K
为波尔兹
曼常数，
T
为绝对温度，
绝对温度
=
摄氏温度
+273
。
转换为对数形式，
即
10log(kT)
。
在常温下，
T=290
0
K
，此时的白噪声功率谱密度
=-174dBm/Hz
。
我们通常所指的通信系统的底噪就是指的一定带宽内的高斯白噪声的总功率。
比如：假设系统使用带宽为
20MHz
，那么，
20MHz
内系统底噪为：
-174dBm/Hz+10log20000000Hz=
-101dBm/20MHz
对于
LTE TDD
系统单个子载波(
15KHz
)而言，其底噪为：
-174dBm/Hz+10log15000Hz=
-132.2dBm/
子载波
对于单个
RB
而言，由
12
个
15KHz
的子载波构成(共
180KHz
)，那么，单个
RB
的底噪为：
-174dBm/Hz+10log180000Hz=
-121.4dBm/RB
而对于一般的接收机来说，还要在上述功率值的基础上加上噪声系数
NF
。
一般基站的噪声系数是
3~4dB
。
LTE
带宽和底噪以及过低门限对应关系
带宽
1.4MHz
3MHz
实际底噪
-111dBm
-108dBm
过低门限
-120dBm
-116dBm
1.1
LTE
常见干扰
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