matlab中mos管开通损耗和关断损耗,开关电源MOS开关损耗推导过程！

描述

开关电源MOS开关损耗推导过程！

电源工程师们都知道开关MOS在整个电源系统里面的损耗占比是不小的，开关mos的的损耗我们谈及最多的就是开通损耗和关断损耗，由于这两个损耗不像导通损耗或驱动损耗一样那么直观，所有有部分人对于它计算还有些迷茫。

我们今天以反激CCM模式的开通损耗和关断损耗来把公式推导一番，希望能够给各位有所启发。

我们知道这个损耗是由于开通或者关断的那一个极短的时刻有电压和电流的交叉而引起的交越损耗，所以我们先得把交越波形得画出来，然后根据波形来一步步推导它的计算公式。

最恶劣情况的分析

我们一起来看图

下图为电流与电压在开关时交叠的过程，这个图中描述的是其实是最恶劣的情况，开通时等mos管电流上升到I1之后mos管电压才开始下降，关断时等mos管电压上升到Vds后mos管电流才开始下降。

最恶劣的情况分析：

mos管开通过程

阶段一：电压不变电流上升(电压为Vds不变，电流由0上升到Ip1)

mos开通瞬间，电流从零快速开始上升到Ip1，此过程MOS的DS电压不变为Vds；

阶段二：电流不变电压下降(电流为Ip1不变，电压由Vds下降到0)

电流上升到Ip1后，此时电流的上升斜率(Ip1-Ip2段)相对0-Ip1这一瞬间是非常缓慢的，我们可以近似把上升到Ip1之