目录
MOS管的损耗主要包括导通损耗(Pdrain)和开关损耗(Pswitch)两种。
导通损耗:MOS管在导通状态下的损耗;
开关损耗:MOS管在开关过程中产生的损耗。
损耗计算
导通损耗计算
导通损耗主要由MOS管导通电阻引起,计算公式为:
Pdrain = 功耗(W)=I^2 * Rds(on) * t
I:流过MOS管的电流;
Rds(on):MOS管的导通电阻;
t:MOS管在导通状态下的持续时间;
开关损耗计算
开关损耗包括开通损耗(Pon)和关断损耗(Poff)。
开通损耗:MOS管从关断状态切换到导通状态过程中产生的损耗;
关断损耗:MOS管从导通状态切换到关断状态过程中产生的损耗。
开通损耗计算
开通损耗计算公式:
Pon = C * V^2 * f / 2
C:MOS管的输出电容;
V:MOS管两端的电压降;
f是MOS管的工作频率。
关断损耗计算
关断损耗计算公式:
Poff = C * V^2 * f / 2
开关损耗等于开通损耗+关断损耗,即Pswitch = Pon + Poff=C * V^2 * f
总损耗计算
MOS管的总损耗是导通损耗+开关损耗,
即Ptotal = Pdrain + Pswitch=C * V^2 * f+I^2 * Rds(on) * t
MOS损耗优化
在实际应用中,为了降低MOS管的损耗,可以采取以下措施:
1.选择低导通电阻的MOS管,以减小导通损耗;
2.优化电路设计,减小MOS管两端的电压降,从而降低损耗。
3.合理选择MOS管的工作频率,避免高频工作导致开关损耗增加;
4.使用散热器或采用其他散热措施,以提高MOS管的散热效果,降低其工作温度。