MOS管的损耗分析

一、导通过程

MOS管导通过程中的各电压电流曲线如图所示：

开通过程主要分为４个阶段（线性化后的开关过程）：

０～t1阶段：从０时刻开始，栅源极电容开始充电，门极电压由０上升到开启电压UGS（th），此时漏极电流为０，漏源极压降没有明显的变化。

t1～t2阶段：门极电压由开启电压缓慢上升至米勒平台电压，此阶段漏极电流迅速上升到系统最大值，漏极电压几乎保持不变。

t2～t3阶段：此时门极处于米勒平台期几乎保持不变，此阶段漏极电流已保持通态电流不变，漏源极间电压迅速降为接近０的低值。

t3～t4阶段：门极电压过了平台期继续上升最后稳定于驱动电压，漏极电流为通态电流，漏源极间压降为０。

由ＭＯS管的开通过程可知，产生损耗的时间段主要集中在t1～t3阶段。t1～t3阶段的长短与栅源极间充电时间有关，充电时间与ＭＯS管的驱动性能有关。

开关管的关断过程与开通过程相类似。

二、损耗分析

MOS管损耗主要有开关损耗（开通损耗和关断损耗，关注参数Cgd(Crss)）、和导通损耗(关注参数Rds(on))等。

MOS管的各种损耗可以通过以下公式近似估算：

导通损耗：

Q1管：P1= D × (IO 2 × RDS(ON) × 1.3)；

系数1.3主要是考虑MOS管的导通电阻会随着温度的升高而增加。

开关损耗：

PSW = 0.5× Vin × Io × (tr + tf) × fSW；

系数0.5是因为将MOS管导通曲线看成是近似线性，折算成面积功率，系数就是0.5；Vin是输入电压，Io是输出电流；tr和tf是MOS管的上升时间和下降时间，分别指的是漏源电压从90%下降到10%和漏源电压从10%上升到90%的时间，可以近似看作米勒平台的持续时间，以SCT280KL为例，分别为36ns和22ns。

以全桥逆变为例，其中母线电压300V,负载电压196V，母线电流18.3A，负载电流25.4A，开关频率23.4KHZ，计算mos损耗如下：

导通损耗 (Conduction Loss)

导通损耗计算公式：

MOS管的导通电阻 RDS(on)为0.08Ω。

由于导通损耗是每个MOS管的损耗，我们需要计算每个MOS管的均方根电流 IRMS​。

全桥逆变器有4个MOS管，每两个MOS管一组进行交替工作。我们用总电流的一半来近似每个MOS管的均方根电流。

那么每个MOS管的均方根电流：

因此，每个MOS管的导通损耗为：

全桥逆变器中有4个MOS管，因此总的导通损耗为：

开关损耗 (Switching Loss)

开关损耗计算公式：

总的开关时间：

单个MOS管的开关损耗： 

  

全桥逆变器中有4个MOS管，因此总的开关损耗为：

  

总损耗

总损耗为导通损耗和开关损耗之和：

大约48W。