第七章
一、基本概念
1.半导体功函数:半导体的费米能级E F 与真空中静止电子的能量E 0的能量之差。 金属功函数:金属的费米能级E F 与真空中静止电子的能量E 0的能量之差
2.电子亲和能:要使半导体导带底的电子逸出体外所需的最小能量。
3. 金属-半导体功函数差o: (E F )s-(E F )m=Wm-Ws
4. 半导体与金属平衡接触平衡电势差: q W W V s
m D -=
5.半导体表面空间电荷区 : 由于半导体中自由电荷密度的限制,正电荷分布在表面相当厚的一层表面层内,即空间电荷区。表面空间电荷区=阻挡层=势垒层
6.电子阻挡层:金属功函数大于N 型半导体功函数(Wm>Ws )的MS 接触中,电子从半导体表面逸出到金属,分布在金属表层,金属表面带负电。半导体表面出现电离施主,分布在一定厚度表面层内,半导体表面带正电。电场从半导体指向金属。取半导体内电位为参考,从半导体内到表面,能带向上弯曲,即形成表面势垒,在势垒区,空间电荷主要有带正电的施主离子组成,电子浓度比体内小得多,因此是是一个高阻区域,称为阻挡层。
【电子从功函数小的地方流向功函数大的地方】
7.电子反阻挡层:金属功函数小于N 型半导体功函数(Wm8.半导体表面势垒(肖特基势垒)高度:
s m s D W W qV qV -=-=
9.表面势垒宽度:
10.半导体表面势: 取半导体体内为参考电位,半导体表面的势能Vs 。
11 .表面态: 在半导体表面处的禁带中存在着表面态,对应的能级称为表面能级。 表面态一般分为施主型和受主型两种。若能级被电子占据时呈中性,施放电子后呈正电性,成为施主型表面态;若能级空着的时候为电中性,接收电子后带负电,则成为受主型表面态。一般表面处存在一个距离价带顶为qf 的能级,电子刚好填满该能级以下所有表面态时呈电中性。电子填充了该能级以上部分则表面带负