7价 半导体掺杂_半导体物理第七章1

第7章 金属－半导体接触

本章讨论与pn 结特性有很多相似之处的金－半肖特基势垒接触。金－半肖特基势垒接触的整流效应是半导体物理效应的早期发现之一：

§7.1金属半导体接触及其能级图

一、金属和半导体的功函数

1、金属的功函数

在绝对零度，金属中的电子填满了费米能级E F 以下的所有能级，而高于E F 的能级则全部是空着的。在一定温度下，只有E F 附近的少数电子受到热激发，由低于E F 的能级跃迁到高于E F 的能级上去，但仍不能脱离金属而逸出体外。要使电子从金属中逸出，必须由外界给它以足够的能量。所以，金属中的电子是在一个势阱中运动，如图7-1所示。若用E 0表示真空静

止电子的能量，金属的功函数定义为E 0与E F 能量之差，用W m 表示：

FM M E E W -=0

它表示从金属向真空发射一个电子所需要的最小能量。W M 越大，电子越不容易离开金属。

金属的功函数一般为几个电子伏特，其中，铯的最低，为1.93eV ；铂的最高，为5.36 eV 。图7-2给出了表面清洁的金属的功函数。图中可见，功函数随着原子序数的递增而周期性变化。

2、半导体的功函数

和金属类似，也把E 0与费米能级之差称为半导体的功函数，用W S 表示，即

FS S E E W -=0

因为E FS 随杂质浓度变化，所以W S 是杂质浓度的函数。

与金属不同，半导体中费米能级一般并不是电子的最高能量状态。如图7-3所示，非简并半导体中电子的最高能级是导带底E C 。E C 与E 0之间的能量间隔

C E E -=0χ

被称为电子亲合能。它表示要使半导体导带底的电子逸出体外所需要的最小能量。

利用电子亲合能，半导体的功函数又可表示为

)(FS C S E E W -+=χ

式中，E n =E C －E FS 是费米能级与导带底的能量差。

图7-1 金属中的电子势阱

图7－2 一些元素的功函数及其原子序数

图7-3 半导体功函数和电子亲合能