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原创 浅谈计算机仿真技术对各行业发展的重要性和必要性
浅谈计算机仿真技术对各行业发展的重要性和必要性计算机仿真技术是以计算机为基础，根据问题对象的实际要求，建立真实的数学模型，并将其转换成仿真模型。在不同的问题下，利用计算机系统来演示运行状态，从而将抽象的问题真实的展现在计算机系统的显示器上。随着计算机技术的高速发展，计算机仿真技术的应用已经渗透到了各个领域，促进了各行各业的发展。以下我们主要讨论常用的几个领域：Ø 在交通运输领域中，计算机仿...
2020-04-06 15:38:48
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原创 基于 AC 驱动的电容结构 GaN LED 模型开发和应用
为了深入理解该器件的工作原理，我司技术团队开发了基于 AC 驱动的物理解析模型，揭示了隧穿结降低器件工作电压的内在机理，丰富了研究人员对 AC 驱动 GaN LED 技术的理解，有助于进一步促进纳米尺寸显示技术的发展。图2（c）表明能带在-40 V 反向偏压下发生大幅弯曲，具有 TJ 结的 LED 可以提供更多的感应电子【见图2（d）】，在耗尽区电场的加速下碰撞离化，从而导致更低的反向导通电压。图2（e）进一步证明具有 TJ结的LED 结构的碰撞离化分布更宽，LED 的工作电压能够被有效降低。
2024-09-06 13:43:01
554
原创 基于AlGaN基深紫外法布里珀罗激光器物理模型的开发与研究
图1（c）为点泵浦下的增益系数，可以发现深紫外FP LD的增益系数较低；本项工作也详细探究了高效率AlGaN深紫外FP LD的设计与研制方案，即需要综合考虑p-型波导层p及p-型电子阻挡层 Al组分、p-型光场限制层厚度及Al组分的协同效应对器件性能的影响。近期，河北工业大学和广东工业大学联合开发了AlGaN基深紫外法布里珀罗激光器（FP LD）的仿真模型，旨在探究深紫外激光器p型区域由自由载流子吸收引起的光损耗与p型外延层Al组分变化对器件性能的综合影响。图1（a）和（b）分别展示了。
2024-07-26 15:19:39
398
原创 倾斜侧壁增强光提取效率相关机制的建模仿真研究
所设计的微型LED阵列的最佳侧壁倾斜角度为35°，这与之前的理论分析是一致的，即在具有倾斜侧壁的LED中，两种散射机制同时产生，最佳倾斜侧壁角在25°到65°之间。为进一步对比说明上述不同器件尺寸产生的差异，我们在图3（a）中示展示了两种散射路径的①和②以及逃逸锥分布的示意图，并通过计算反射逃逸锥与倾斜侧壁角之间的关系进一步揭示了倾斜侧壁处产生的两种散射机制以及其增强LEE的不同来源。图2 不同尺寸的深紫外LED的（a）TM偏振光和（b）TE偏振光的光提取效率随侧壁倾斜角度的变化；
2024-06-06 09:38:51
948
原创 GaN功率电子器件中体缺陷相关机制的建模仿真研究
近期，河北工业大学和广东工业大学联合开发了缺陷相关的仿真模型，深入剖析了体缺陷对GaN基肖特基势垒二极管的影响，并实现了对器件动态特性的仿真。图3（a）和（b）展示了GaN基肖特基势垒二极管动态特性的仿真模型，电压从0 V增加到1.5 V再回到0 V时，具有施主型缺陷的肖特基势垒二极管的正向导通特性几乎不发生变化，而具有受主型陷阱的肖特基势垒二极管会产生显著的充电/放电效应，使正向导通特性发生显著漂移。（c）不同浓度施主型缺陷和（d）不同浓度受主型缺陷对GaN基肖特基势垒二极管阻断特性的影响。
2024-05-29 09:23:15
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原创 具有图形化衬底与空气腔反射镜混合结构的深紫外Micro-LED阵列芯片
通过对比分析可以看出，相比于Device A，Device B的空气腔反射镜结构设计可以提高器件台面倾斜侧壁反射镜的反射率，增加倾斜侧壁的散射作用，并提供额外的光逃逸路径，提高器件的光提取效率。相比于Device B，Device 2中设计了NPSS与空气腔反射镜混合结构，NPSS可以作为散射中心破坏波导效应，最终将光散射到空气腔中，这些散射的光子经历了底部反射镜的反射，可以被有效地提取到空气中，如图3（c）中路径。（d）Device A、Device B和Device 2所提取出的光强与位置之间的关系。
2024-04-18 11:29:28
498
原创 新成果展示：AlGaN/GaN基紫外光电晶体管的设计与制备
图1（a）展示了AlGaN/GaN基紫外光电晶体管的三维结构示意图，源极和漏极为左右两侧台面上的金属电极，栅极的设计采用凹槽和Al0.20Ga0.80N层功能结构。图1（b）为实验测得的光暗电流，由于暗电流值太小超过了源表的量程，因此准确的暗电流值无法测出，但是可以推测出暗电流值低于3.40 × 10−11 A/cm2。图1（c）为仿真计算得到的光暗电流，与实验测试结果结论一致，也证明了数理模型的合理性。图1（a）器件的三维结构示意图，（b）实验测试的光暗电流，（c）仿真计算的光暗电流。
2023-10-23 10:51:23
607
1
原创 横向AlGaN/GaN基SBD结构及物理模型数据库的开发
为进一步优化器件性能，技术团队对场板结构的长度、厚度、材料等参数进行了优化设计，例如图2（a）-（d）的研究结果所示，随着SiO2、Si3N4、Al2O3、HfO2的介电常数从3.4、7、9增加到20，凹槽阳极侧壁的电荷耦合效应逐渐增强，从而有效地减小了阳极边缘肖特基结电场强度并抑制肖特基势垒降低效应，降低器件的漏电流【见图2（e）】；此外，图3还展示了外部环境温度对SBD反向电学特性的影响，β1是以器件发生雪崩击穿为击穿点得到的温度系数，从图可知器件C1-C4的击穿电压都随着温度的增加而增加；
2023-10-07 14:08:20
1503
1
原创 最新成果展示：GaN基Micro-LED热学模型数据库的开发及应用
如图1（b）所示，随着缺陷复合电流的降低，相对应的器件中也会产生更少的复合热。图1（c）表明小尺寸器件产生更少的焦耳热，然而缺陷区域的存在与否对器件内部的焦耳热并无影响。通过考虑复合热和焦耳热带来的综合效应，得到图1（d）所示的结果：减小非辐射复合有助于降低自热效应，尤其是对于小尺寸的。Device A1、A2、B1、B2在不同电流密度下的（a）SRH复合电流、（b）复合热、（c）焦耳热和（d）总热源。导致非辐射复合产生的自热效应更加显著，因此，如图2（a）和（b）所示，芯片尺寸为。LED效果更加显著。
2023-08-08 11:40:44
486
原创 斜率效率为~ 4.8 W/A的910 nm GaAs基半导体激光器架构及数据库成功开发
在5 A的单管输出功率可达20.4 W，其功率-电流特性曲线信息如下图所示。此器件架构的开发有助于高效地设计900 nm ~ 1000 nm的GaAs基激光器的结构参数，同时为分析器件内部机理提供了重要的参考价值，对研发高性能的GaAs基激光器有着重要的指导意义。半导体激光器最重要的性能参数之一是激光输出功率，如在激光切割、激光焊接等领域，半导体激光器需具备较高的输出功率以满足实际应用的要求。目前，提高半导体激光器的输出功率主要有两种方法：一种是提高半导体激光器单管的输出功率；
2023-07-20 10:08:01
201
原创 AlGaN基深紫外FP激光器仿真模型及材料信息数据库有何用途？
波长范围为UVC波段（100-280 nm）的深紫外FP（Fabry-Pero，法布里和珀罗是两位法国的科学家）激光器可广泛应用于数据通信、光通信、3D打印、材料加工、显示与照明、激光雷达、人脸/手势识别、医疗和表面监测等领域。，可以输出不同偏置条件下的能带、增益谱分布、光场分布和功率-电压等特性曲线，具体信息如下图所示。此模型有助于高效地设计AlGaN基深紫外FP激光器的结构参数，同时为分析器件内部机理提供了重要的参考价值，对研发高性能的AlGaN基深深紫外FP激光器有着重要的指导意义。
2023-07-14 17:01:05
283
原创 最新成果展示：AlInN/GaN DBR模型数据库的开发与应用
有源区中的极化电场强度并同时降低量子垒与量子阱中能带倾斜程度，从而增加电子。的设计在一定程度上牺牲了器件的热学特性，但最终提升了器件的光输出功率和。具有更高的热阻，最终使得器件的热衰退提前，结温也明显增加。之间存在较大的晶格失配和热膨胀失配，导致很难获得。空穴波函数的重叠率，提高器件的输出功率。器件的散热性能产生影响。表示量子阱的能带倾斜程度；表示量子垒的能带倾斜程度；系统地研究了晶格匹配的。）平衡态下的电场分布（注入电流下的电场分布；电学和热学特性的影响。表示量子垒的势垒高度。）中展示的热量分布，
2023-06-07 13:53:52
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原创 最新成果展示：多结VCSEL模型数据库的开发及应用
该模型数据库有助于分析器件内部电流分布、光场分布、受激辐射复合分布等微观信息，协助优化有源区架构、隧穿结组成、DBR等设计参数，为实现高功率、高响应速度的多结VCSEL器件设计提供可靠的技术分析手段。相比于传统垂直腔面发射激光器（Vertical-CavitySurface-Emitting Laser，VCSEL），多结VCSEL具有更高的光输出功率、更快的响应速度、更高的斜率效率和电光转换效率等优势。图1.（a）多结VCSEL能带分布和（b）PIV曲线特性。多结VCSEL模型数据库。
2023-03-08 16:51:44
262
原创 新成果展示：载流子输运与复合模型数据库在台面二次刻蚀的Micro-LED中的应用
为了揭示具有二次刻蚀台面的Micro-LED结构中载流子的输运与复合机制以及对器件的发光效率影响的物理机制，技术团队利用载流子输运与复合模型数据库系统地研究了器件结构内部电场对载流子输运的影响以及载流子的分布与复合情况。另外，我司技术团队也对上述器件结构进行了对比实验制备，并将测试结果与仿真结果进行了比较：如图3所示，利用极化效应和二次刻蚀台面的载流子限制作用可以有效地提高器件B的外量子效率（EQE）和光功率密度。图3（a）器件A和（b）器件B在不同注入电流密度下的外量子效率和光功率密度。
2023-03-01 11:44:14
202
原创 最新成果展示：半导体激光器光学模型数据库的开发及应用
为解决该问题，我司技术团队提出通过调控空穴的注入路径来控制不同模式的增益，最终提升GaN基VCSEL的基模输出功率。如图2所示，当减小GaN基VCSEL的电流注入的孔径尺寸时，VCSEL B2依然能够保持高斯形态的单模激光输出。此外，VCSEL B2有源区内的增益覆盖范围与基模分布重叠率上升，与表面浮雕结构所在范围的重叠率下降，器件基模增益上升，激光器输出功率相应提高。图2. VCSEL B1至B3以及VCSEL A2的（a）一维横向光场分布，（b）远场发散角和（c）光输出功率对比图。
2023-01-16 11:00:30
254
原创 新成果展示：具有倾斜台面的Micro-LED模型数据库的开发与应用
除此之外，台面的倾斜角度也会对器件的电学性能产生影响，如图2所示，这主要体现在两个方面：一是倾斜的台面会造成侧壁区域的电场增加，导致边缘区域的量子阱中量子限制斯塔克响应增强，从而降低器件的有效辐射复合效率；图2 （a）各器件内部横向的电场分布，（b）Device 1和（c）Device 5边缘区域量子阱中的能带图，（d）各器件的非辐射复合电流随外加电流密度的变化曲线。其中Device 1/Ⅰ, 2/Ⅱ, 3/Ⅲ, 4/Ⅳ和5/Ⅴ的台面倾斜角度分别为45°，53°，63°，79°和90°。
2022-11-25 15:12:16
342
原创 最新成果展示：Ga2O3材料数据库的开发及其在日盲紫外光电探测器中的应用
所示，技术团队将上述器件结构的实验测试结果与仿真计算结果进行了对比：由于测试设备精度的限制，实验测试的暗电流无法达到理论计算值的量级，但获得的实验测试光电流与仿真计算的光电流在同一数量级水平，验证Ga2O3材料信息数据库的可行性。所示，在光照条件下，Ga2O3吸收层产生的光生电子在电场作用下输运至2DEG沟道，补充了金属栅下方被耗尽的电子，2DEG沟道重新导通，促进光生电子的快速输运。所示，在黑暗条件下，金属栅对AlGaN层的耗尽作用有效地抑制了器件的暗电流，即表现为对2DEG沟道的“夹断”作用。
2022-10-25 10:34:38
814
原创 最新成果展示：利用缺陷信息数据库探索界面工程，助力GaN基肖特基势垒二极管的研究
在电力电子器件的外延生长和器件制备过程中，特别是对于具有凹槽结构的GaN基肖特基势垒二极管（TMBS）而言，ICP刻蚀将不可避免地损伤材料的表面，产生大量的缺陷，最终牺牲器件的击穿电压、导通电阻等性能，同时影响器件的可靠性。展示了所设计的器件的反向IV特性曲线，可以发现设计有MIS结构的TMBS器件的反向漏电流显著减小，击穿电压提升，例如相对于具有Pt电极的TMBS器件，具有Pt电极的MIS-TMBS器件的漏电流减小了近3个数量级，击穿电压从1200 V提升到3200 V。
2022-10-08 09:49:18
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原创 最新成果展示：具有1.1 kV级高击穿电压的GaN基肖特基二极管
为实现具有高击穿电压和优异正向特性的第三代半导体功率器件，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队依托先进的半导体TCAD仿真平台，优化设计了一种具有p-NiO插入终端的混合式肖特基势垒二极管结构（Hybrid SBD）。...
2022-08-04 14:05:33
524
原创 新成果展示：基于Metal/Ga2O3/GaN混合结构的日盲紫外探测器的设计与制备
基于先进的TCAD半导体仿真设计平台，天津赛米卡尔科技有限公司的技术团队设计了一种具有Ni/Ga2O3/GaN混合结构的日盲紫外探测器。该探测器分为Ga2O3吸收层和GaN传输层，如图1（a）和1（b）所示，在无光照情况下，Ga2O3吸收层中的电子浓度被Ni/Ga2O3异质结的内建电场耗尽；如图1（b）和1（d）所示，在有紫外光照情况下，Ga2O3吸收层中产生的光生电子被内建电场推入电子迁移率更高的GaN传输层中进行输运，提高了光生载流子的传输效率。图1（a）无紫外光照情况下和（c）有紫外光照情况下
2022-04-07 09:47:48
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原创 最新成果展示：p+-GaN/SiO2/ITO隧穿结模型的开发与应用
AlGaN基深紫外发光二极管（DUV LED）中具有高Al组分的p-AlGaN空穴注入层的掺杂效率较低，导致器件中空穴浓度以及材料的电导率降低，同时DUV LED中还存在电流拥挤效应，严重影响了器件光电性能。此外，蓝宝石衬底上的异质外延生长所产生的高缺陷密度还会引起漏电流的产生，而较高的空间电荷复合电流也会增大器件的理想因子。 为解决上述问题，天津赛米卡尔科技有限公司技术团体设计并制备了一种具有p+-GaN/SiO2/ITO隧穿结的发光波长为280nm的DUV LED，如图1所示。由于1 nm厚的...
2022-03-23 09:23:14
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原创 新成果展示：p-NiO插入终端结合MOS结构实现高性能GaN基SBD
依托先进的半导体TCAD仿真平台，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队设计了一种具有p-NiO插入终端结合侧壁MOS场板的混合式肖特基势垒二极管结构（Hybrid TMBS），期望通过该设计能同时改善传统GaN基SBD的正向导通特性和反向击穿特性。图1展示了技术团队设计的Hybrid TMBS器件结构（Device A3），该结构的设计核心是利用p-NiO插入终端结合侧壁场板MOS结构形成混合式肖特基势垒二极管结构。如图2（a）所示，该设计方案，在器件正向偏置时，具有更高的电流密度，这主要归功于引入的p-N
2022-01-25 13:55:58
1130
原创 新成果展示：高性能肖特基功率二极管的设计与制备——助力GaN基功率电子器件物理模型的开发与完善
GaN基功率器件凭借其高电子漂移速度和迁移率、高耐压特性与热稳定性、低导通电阻和开启电压等优异特性被广泛应用在低压级消费电子领域、中压级的汽车电子领域和高压级的工业电机领域中。其中，肖特基势垒二极管（SBD）是功率转换系统中的核心组件之一，而实现具有低开启电压和超高耐压的GaN基SBD是目前所追求的主要目标。为此，依托先进的半导体TCAD仿真平台，我司技术团队自主设计并成功制备了一种新型的GaN基SBD，实现器件性能的大幅改善。图1（a）表明当处于正向偏置时，我司技术团队自主设计的SBD器件能够实现更高
2021-12-27 09:45:48
577
原创 最新成果展示：MIS结构电极物理模型的开发及应用
AlGaN基深紫外LED中高Al组分n-AlGaN材料的掺杂效率较低，导致深紫外LED具有较大的n电极接触电阻。尤其当深紫外LED处于正偏状态时，n电极金属/n-AlGaN处于反偏，随着外加电压增加，n电极的表面耗尽效应加剧，阻碍了电子注入。n电极处产生的较大的接触电阻不仅会降低AlGaN基深紫外LED的电光转化效率（wall-plug efficiency，WPE），同时还会增加器件局部热效应，导致严重的热衰退（thermal droop）现象。根据我司技术团队前期关于MIS结构的相关仿真结果可知，M
2021-12-21 10:07:21
487
原创 最新成果展示：SiC BJT精准模型的开发
第三代半导体功率器件的飞速发展成功激励新能源电动汽车市场的高速增长，其中双极结型晶体管（BJT）是电机可变速驱动装置或不间断电源装置等电力转换器的核心开关元件。因此，BJT中载流子输运与电流放大模型的精确开发将有力推进BJT器件的设计与研发，这对于新能源电动汽车的产业升级与更新换代具有重大意义。近期，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队依托先进的仿真设计平台成功开发出了BJT器件的精准计算模型，有效地助力研究人员揭示物理机理并进行器件结构优化。基于该模型计算得到的电流增益曲线 [图1（a）和（b）] 与..
2021-11-15 15:38:18
4247
原创 工艺仿真+器件仿真助力SiC基Trench MOSFET模型的开发与机理研究
SiC基MOSFET可广泛地应用于并网逆变器、双有源桥双向直流变换器、电动汽车充电器、三相电机驱动器、固态断路器等领域；通过减小无源元件体积，可降低损耗和散热器体积，并极大程度上提高变换器的功率密度和工作频率。Trench MOSFET采用腐蚀挖沟槽的方法将平面型VD-MOSFET的“T”字形导电通路缩短为两条平行的垂直型导电通路，起到了去除两相邻PN结间的JFET电阻作用，从而减小了器件的导通电阻；同时，Trench MOSFET可有效抑制源极短路问题，减小PN结电容，避免产生寄生效应。基于此，...
2021-10-15 14:10:36
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原创 利用侧壁高阻结构调控Micro-LED中电流的横向扩展
现如今，智能手机、平板、电脑等高分辨率显示产品的快速发展，促使整个行业对高性能显示器的需求不断增加。 在过去的几十年里，主流的显示系统都是基于液晶显示（LCD）和有机发光二极管（OLED）这两种技术，这两种显示技术几乎占据了整个智能显示领域。然而，现阶段对于LCD和OLED这两种显示技术仍存在一些不完善的地方，比如，LCD存在颜色转换效率差、色彩饱和度和对比度低等问题；OLED的亮度以及寿命也有待进一步提升。基于Micro-LED的显示技术在亮度、寿命、分辨率和效率等方面具备优异性，因此Micro-LE..
2021-10-15 14:09:11
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原创 2021-09-14光学与电学协同仿真模型助力开发高效率AlGaN基深紫外LED
提高深紫外LED光提取效率关键手段之一是降低p-GaN层对深紫外光吸收而产生的光损耗效应，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队最近依托DUV LED光学与电学协同仿真模型技术，提出了两种行之有效的解决方案。具体成果如下：具有横向过刻蚀p-GaN层的DUV LED结构在具有倾斜侧壁阵列的DUV LED结构中， p电极并没有完全覆盖p-GaN层，这就导致了电流主要在有电极覆盖的区域注入，而外围区域电流密度较小，因此倾斜侧壁LED的发光主要是集中于电极的下方（即Device 1）。然而p-GaN层对深紫外光的吸
2021-09-14 11:37:21
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原创 《涨知识啦41》——半导体中的光吸收
《涨知识啦41》——半导体中的光吸收在针对半导体材料光电特性的初期研究过程中，光子到电子的转换过程是半导体材料对光子的吸收以及由此产生的一系列的效应，例如光电导效应、光生伏特效应等。之后通过对半导体材料光吸收效应的深入研究，将其应用在光传感器、光电探测器、太阳能电池和半导体光导开关等领域。但半导体材料对光吸收的机制是什么呢？本期《涨知识啦》将带领读者一起探索半导体材料中光吸收的奥秘。半导体材料对光的吸收机制大致可以分为本征吸收、激子吸收、自由载流子吸收、杂质吸收和晶格振动吸收 [1]：1 本征吸
2021-08-16 10:16:43
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原创 浪涌模型成功嵌入Mixmode仿真系统
众所周知，电路系统中普遍存在着浪涌现象。具体而言，浪涌现象是一种瞬间干扰，是指在极短时间内峰值电流/电压远大于额定工作电流/电压，如打雷、接通或断开负载等，示意图如图1所示。虽然浪涌现象不会持续太长时间，但由于瞬间功率极高，可对整个电路系统产生致命的影响，如减小系统的使用寿命，破坏电路元件以及干扰元件正常工作等。因此，如何提高核心敏感部件的抗浪涌能力对于电路系统有着重要的意义。图 1 浪涌现象示意图赛米卡尔开发的浪涌模型，可真实复现器件在大电流注入时的器件状态，实时地展示器件内部的电场分布...
2021-08-10 11:11:47
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原创 二极管的瞬态特性
《涨知识啦40》——二极管的瞬态特性对于功率二极管来说，除了关注功率损失和反向阻断能力外，其在导通和关断过程中的瞬态特性也是不容忽视的，某些情形下甚至会上升为首要问题。功率二极管从断态到稳定导通状态的过程中，其正向电压会随着电流的上升首先出现一个过冲，然后才逐渐趋于稳定，如图1所示。电压过冲的物理机制主要有两个，一个是阻性机制，一个是感性机制。阻性机制是指少数载流子输入的电导调制作用。以P+N结二极管为例，在导通初期，二极管的电阻主要来自低掺杂N区的欧姆电阻，其值颇高且为常量，因此管压降随着电流的上
2021-08-02 14:38:42
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原创 基于“有限元计算(TCAD)+电路分析(SPICE)”Mixmode 混合仿真模型的开发
随着微电子技术的发展，半导体器件性能不断提升，其中两大仿真工具功不可没，分别是TCAD半导体工艺和器件仿真工具和SPICE电路仿真。TCAD是建立在半导体物理基础之上的数值仿真工具，它可以对不同工艺条件进行仿真，取代或部分取代昂贵、费时的工艺实验，计算和分析半导体器件的电学特性、热学特性、光学特性及电热光多场耦合的特性，从而助力于新型半导体器件结构的研发。SPICE为电路级仿真，给定已知的器件的物理模型，通过电路分析基础公式计算出给定电路的输入和输出特性，从而助力于电路及系统级模块的设计。图 1..
2021-07-27 09:34:08
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原创 《涨知识啦39》-太阳能电池的光损耗
《涨知识啦39》-太阳能电池的光损耗太阳能电池作为实现光-电转换功能的器件，对太阳光的吸收能力是影响器件性能的关键因素之一。光损耗的大小会严重影响太阳能电池对太阳光的吸收能力，并直接决定了器件短路电流的大小。因此，为了帮助大家设计出更高性能的太阳能电池，图1归纳总结了关于太阳能电池的光损耗问题，为如何降低光损耗提供了解决方案：图 1 光损失来源顶部接触电极对吸光面积的影响。可以通过减小电极尺寸来保证足够的吸光面积，但是同时会增加串联电阻，从而降低短路电流。 增加抗反射图层来提高器件的吸光能
2021-07-19 16:27:47
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原创 GaN基准垂直肖特基功率二极管(SBD)的设计与制备
依托先进的半导体器件仿真设计平台，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队实现了击穿电压为420 V的GaN基准垂直肖特基功率二极管的设计方案（SFP-SBD：具有侧壁场板的GaN基准垂直肖特基功率二极管），并在蓝宝石衬底上制备了该器件结构。技术团队对所制备的器件进行了电流-电压测试[图1(a)]，通过在器件侧壁及台面边缘处制备场板结构，有效降低了台面边缘处的电势及电流密度[图1(b)和(c)]，从而抑制了因刻蚀工艺导致的侧壁缺陷对载流子的复合效应。图 1 （a）电流-电压关系图， (b) 电势分布图，..
2021-07-14 16:38:48
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原创 《涨知识啦38》——多能谷散射和负微分电导效应
对于绝大多数的半导体材料，当其两端施加一定的偏置电压时，电子或空穴会在外加电场的作用下进行漂移运动，且漂移速度随着电场的增加而增大，直到达到饱和漂移速度；然而，对于某一类半导体材料而言，例如n-GaAs，当半导体内部的电场处于某一范围时，n-GaAs材料会呈现出负微分电导区，电子的平均漂移速度逐渐减小，迁移率则为负值。为什么会出现这种现象？由什么引起？带着这些疑问，小赛将为大家慢慢解读。图1（a）展示了GaAs材料的能带结构，可以看出GaAs材料的导带存在两个能谷，分别为能谷1和能谷2 [1]。导带..
2021-07-06 15:15:35
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原创 浅谈垂直腔面发射激光器的设计原则
相比边发射激光器而言，垂直腔面发射激光器（Vertical-cavity surface-emitting laser，简称VCSEL）拥有更低的阈值电流和更高的光束质量。同时，由于VCSEL光子输运是沿外延生长方向，因此VCSEL拥有更高的模式选择性，且易于实现二维阵列集成。VCSEL的上述优点使其为未来的光通信以及大规模集成电路的光互联提供了无限可能。然而VCSEL的工作模式对器件设计提出了更高要求。首先，需要精确控制VCSEL腔长，从而使增益区置于腔内驻波波腹处，实现更高的受激辐射效率，这对...
2021-06-18 14:38:53
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原创 《涨知识啦37》-量子跃迁
为了进一步夯实大家的半导体器件物理基础，本期《涨知识啦》从量子跃迁角度为大家梳理一下常见半导体光电器件的基本工作原理，从而帮助大家更加深入的了解不同半导体光电器件的内在工作机理。转存失败重新上传取消图 1 电子在导带与价带中的跃迁在热平衡条件下，直接带隙半导体的导带和价带内分别占有一定数量的电子和空穴。导带中的电子以一定的几率与价带中的空穴复合并以光子的形式放出复合所产生的能量, 这一过程称为自发光发射跃迁。特别当半导体处于激励状态下，导带占有的电子密度很高时，自发辐射产生...
2021-06-10 11:16:23
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原创 《涨知识啦36》---Micro-LED巨量转移技术
目前， Micro-LED的显示技术在制造上面临两个主要的技术挑战：一个是全彩显示（Full-color display）,另外一个为巨量转移（Mass transfer）。本周“涨知识啦”给大家介绍的就是其中的巨量转移技术，它是Micro-LED显示技术中不可或缺的一个重要环节。巨量转移又称薄膜转移，就是将Micro-LED器件转移到具有特定的驱动基板上，并组装成二维周期阵列。通常500 PPI（Pixels Per Inch）的手机屏幕需要将近800万个像素颗粒，因此Micro-LED的显示技术中转移
2021-06-03 17:07:14
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原创 《涨知识啦35》-二极管中的隧道效应和齐纳击穿现象
众所周知，对于传统的二极管来说，雪崩击穿是一种常见的由载流子碰撞主导的击穿方式。然而，除了雪崩击穿外，还存在另一种造成功率二级管电流瞬间增大的效应，即齐纳击穿。齐纳击穿是在强电场和隧道效应的作用下，大量电子从价带穿过禁带而进入到导带时所引起的一种击穿现象。图1 隧道结的电流电压特性齐纳击穿又称为隧道击穿，因此本推文首先重点介绍一下p+/n+结中的隧道效应。图1展示了p+/n+结工作电流随外加偏置电压变化的典型分布，该变化趋势直接取决于p+/n+结能带分布。图2 隧道结的简单能带图首先，对应图1中
2021-05-24 14:10:02
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原创 成果展示：界面极化场调控AlGaN基DUV LED中载流子的输运行为
AlGaN基深紫外发光二极管（DUV LED）凭借其工作电压低、功耗低、无污染、体积小、易于集成、直流驱动等优势，不仅替代了传统汞灯在聚合物固化、杀菌医疗、废水处理等领域的应用，而且把健康、环保、节能的生活理念带进了千家万户，并形成了庞大的DUV LED新兴市场，如便携式消毒电子产品市场、白色家电市场、母婴用品市场等。由于影响AlGaN基DUV LED应用潜力的关键性能指标有发光波长、光输出功率和外量子效率（EQE）等，而DUV LED内部的载流子输运及复合机制又是决定器件性能的关键因素。因此，天津赛米卡尔
2021-05-20 17:34:36
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《仿真分析小技巧9》---圆柱形器件的精确计算.doc
2020-04-20
空空如也
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