DRAM。
从制造商的数量来看,能研发并制造NAND颗粒的企业有英特尔、三星、SK海力士、东芝、闪迪、镁光。而能生产DRAM颗粒的有三星、SK海力士、英特尔和镁光。一看便知,能生产DRAM颗粒必然能生产能NAND颗粒。这是有一定道理的。
换一个角度。看主要参数。NAND只能给SSD用,而DRAM只能给内存或缓存用。SSD目前最快的硬盘是技嘉的PCIe硬盘,通过各种开挂手段,达到了惊为天人的15GB/s(傲腾直接略过)。而内存条最慢速度在38GB/s左右。再看寿命。目前,主流的QLC颗粒写入寿命大多在200TB左右,英特尔的760P可以达到300TB。SLC的P/E次数则可以达到十万次。而内存条则是无线次数,无限TB。
下一个是工艺制程。目前,DRAM最新的工艺制程为10nm,SK海力士和三星已经明确表示会快速跟进。而最先进的NAND则还停留在12nm。
外围的说完了,下面就说原理。NAND嗯原理就是利用电子具有导电性。当一定空间内具有一定电子,通电时就可以导电,反之就不导电。假如要写入1,就导入电子,读取时导通,主控就知道是1。假如要写入0,就析出电子,读取时不导通,主控就知道是0。而DRAM则完全不一样,DRAM内部只有晶体管,和CPU里一样的晶体管,但因为种种原因做了阉割,所以内存也其实跟不上CPU。因为其全部是电气信号交互,不用处理电子,所以速度快很多。就因为断电后,晶体管的状态无法被保存,所以就叫易失性存储器。从原理上来讲,DRAM更像CPU,而非NAND。
NAND、DRAM和CPU的关系很像ARM、X86和苹果自研ARM电脑处理器一样。苹果给电脑研发的处理器,那铁定是魔改X86啊。结果呢?就挂了个名号,其实是ARM处理器。