1、什么是存储器
存储器单元实际上是时序逻辑电路的一种,是许多存储单元的集合,按单元号顺序排列。每个单元由若干三进制位构成,以表示存储单元中存放的数值,这种结构和数组的结构非常相似,故在VHDL语言中,通常由数组描述存储器 。
存储器(Memory)是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据信息。计算机中全部信息,包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。有了存储器,计算机才有记忆功能,才能保证正常工作。
2、存储器的分类
构成存储器的存储介质主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元,它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元,然后再由许多存储单元组成一个存储器。
根据存储材料的性能及使用方法的不同,存储器有几种不同的分类方法:
(1)按存储介质分类
半导体存储器:用半导体器件组成的存储器。
磁表面存储器:用磁性材料做成的存储器。
(2)按存储方式分类
随机存储器:任何存储单元的内容都能被随机存取,且存取时间和存储单元的物理位置无关。
顺序存储器:只能按某种顺序来存取,存取时间与存储单元的物理位置有关。
(3)按存储器的读写功能分类
只读存储器(ROM):存储的内容是固定不变的,它是只能读出而不能写入的半导体存储器,在制造ROM的时候,信息(数据或程序)就被存入并永久保存。当电源关闭时,ROM仍然可以保存数据,不会丢失。ROM一般用于存放计算机的基本程序和数据,如BIOS ROM。其物理外形一般是双列直插式(DIP)的集成块。
随机读写存储器(RAM):既能读出又能写入的半导体存储器。当电源关闭时,存于RAM中的数据会丢失。我们通常购买或升级的内存条就是用作电脑的内存,内存条(SIMM)就是将RAM集成块集中在一起的一小块电路板,它插在计算机中的内存插槽上,以减少RAM集成块占用的空间。
(4)按信息的可保存性分类
非永久记忆的存储器:断电后信息即消失的存储器。
永久记忆性存储器:断电后仍能保存信息的存储器。
(5)按在计算机系统中的作用分类
主存储器(内存):用来存放当前正在执行的数据和程序,和CPU直接交换信息,其速度高、容量较小、每位价位高。它仅用于暂时存放程序和数据,关闭电源或断电,数据会丢失。主存的工作方式是按存储单元的地址存放或读取各类信息,统称访问存储器。主存中汇集存储单元的载体称为存储体,存储体中每个单元能够存放一串二进制码表示的信息,该信息的总位数称为一个存储单元的字长。存储 单元的地址与存储在其中的信息是一一对应的,单元地址只有一个,固定不变,而存储在其中的信息是可以更换的。
辅助存储器(外存储器):主要用于存放当前不活跃的程序和数据,其速度慢、容量大、每位价位低。外存通常是磁性介质或光盘、硬盘等,能长期保存信息。
缓冲存储器:主要在两个不同工作速度的部件起缓冲作用。
3、只读存储器(ROM)
3.1、ROM的分类有哪些
ROM指的是“只读存储器”,即Read-Only Memory。这是一种线路最简单半导体电路,通过掩模工艺, 一次性制造,其中的代码与数据将永久保存,不能进行修改,即使机器停电,这些数据也不会丢失。ROM一般用于存放计算机的基本程序和数据,如BIOS ROM。其物理外形一般是双列直插式(DIP)的集成块。在微机的发展初期,BIOS都存放在ROM(Read Only Memory,只读存储器)中。如果发现内部数据有错,则只有舍弃不用,重新订做一份。
现在比较流行的只读存储器是闪存( Flash Memory),它属于 EEPROM(电擦除可编程只读存储器)的升级,可以通过电学原理反复擦写。现在大部分BIOS程序就存储在 FlashROM芯片中。U盘和固态硬盘(SSD)也是利用闪存原理做成的。
ROM分为可编程ROM和Flash ROM,可编程ROM用分为PROM、EPROM、EEPROM,Flash ROM又分为NOR Flash和NADN Flash。
3.2、可编程ROM
PROM是可编程的ROM,PROM和EPROM(可擦除可编程ROM)两者区别是,PROM是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修改了,这种是早期的产品,现在已经不可能使用了,而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序,是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出,价格很高,写入时间很长,写入很慢。
鉴于EPROM操作的不便,后来出的主板上的BIOS ROM芯片大部分都采用EEPROM。EEPROM的擦除不需要借助于其它设备,它是以电子信号来修改其内容的,而且是以Byte为最小修改单位,不必将资料全部洗掉才能写入,彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。EEPROM在写入数据时,仍要利用一定的编程电压,此时,只需用厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易举地改写内容,所以,它属于双电压芯片。 借助于EEPROM芯片的双电压特性,可以使BIOS具有良好的防毒功能,在升级时,把跳线开关打至“ON”的位置,即给芯片加上相应的编程电压,就可以方便地升级;平时使用时,则把跳线开关打至“OFF”的位置,防止病毒对BIOS芯片的非法修改。
手机软件一般放在EEPROM中,我们打电话,有些最后拨打的号码,暂时是存在SRAM中的,不是马上写入通过记录(通话记录保存在EEPROM中),因为当时有很重要工作(通话)要做,如果写入,漫长的等待是让用户忍无可忍的。
3.3、Flash ROM
Flash ROM指的是“闪存”,所谓“闪存”,它也是一种非易失性的内存,属于EEPROM的改进产品,Flash属于真正的 单电压芯片,它的读和写操作都是在单电压下进行。它的最大特点是必须按块(Block或Sector)擦除(每个区块的大小不定,不同厂家的产品有不同的规格), 而EEPROM则可以一次只擦除一个字节(Byte)。Flash ROM 是利用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息,因为浮置栅不会漏电,所以断电后信息仍然可以保存。
FALSH结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势),U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,然而近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。
目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。
NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。
NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。
一般小容量的用NOR Flash,因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信息,而大容量的用NAND FLASH,最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的"闪盘",可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel,AMD,Fujitsu和Toshiba,而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。
NAND Flash和NOR Flash的比较:
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NORflash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR是现在市场上主要的非易失闪存技术。NOR一般只用来存储少量的代码;NOR主要应用在代码存储介质中。NOR的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高,它是属于芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在(NOR型)flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分。
NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
(1)性能比较
flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。
由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素:
● NOR的读速度比NAND稍快一些。
● NAND的写入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
(注:NOR FLASH SECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同,比如,4M FLASH,有的SECTOR擦除时间为60ms,而有的需要最大6s。)
(2)接口差别
NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
(3)容量和成本
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。
NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8~128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。
(4)可靠性和耐用性
采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。
A、 寿命(耐用性)
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
B、 位交换
所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND发生的次数要比NOR多),一个比特(bit)位会发生反转或被报告反转了。
一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题,多读几次就可能解决了。
当然,如果这个位真的改变了,就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候,同时使用EDC/ECC算法。
这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时,必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。
C、坏块处理
NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。
NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。
(5)、易于使用
可以非常直接地使用基于NOR的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。
由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。
在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
(6)、软件支持
当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(MTD),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些,许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件,这其中包括M-System的TrueFFS驱动,该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。
4、随机读写存储器RAM
4.1、RAM的分类有哪些?
随机存储器(Random Access Memory)表示既可以从中读取数据,也可以写入数据。当机器电源关闭时,存于其中的数据就会丢失。我们通常购买或升级的内存条就是用作电脑的内存,内存条(SIMM)就是将RAM集成块集中在一起的一小块电路板,它插在计算机中的内存插槽上,以减少RAM集成块占用的空间。目前市场上常见的内存条有1G/条,2G/条,4G/条等。
RAM 分为两种:SRAM(Static RAM/静态存储器)和DRAM(Dynamic RAM/动态存储器)。
(1)SRAM
SRAM( Static RAM,静态随机存储器)的存储单元是由晶体管和相关元件做成的锁存器,每个存储单元具有锁存“0”和“1”信号的功能。它速度快且不需要刷新操作,但集成度差和功耗较大,通常用于制造容量小但效率高的CPU缓存。
SRAM 是利用双稳态触发器来保存信息的,只要不掉电,信息是不会丢失的。DRAM是利用MOS(金属氧化物半导体)电容存储电荷来储存信息,因此必须通过不停的给电容充电来维持信息,所以DRAM 的成本、集成度、功耗等明显优于SRAM。
SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。
SRAM(Static RAM)不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
(2)、DRAM
DRAM( Dynamic RAM,动态随机存储器)的存储单元是由电容和相关元件做成的,电容内存储电荷的多寡代表信号0和1。电容存在漏电现象,电荷不足会导致存储单元数据出错,所以DRAM需要周期性刷新,以保持电荷状态。DRAM结构较简单且集成度高,通常用于制造内存条中的存储芯片。
DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的。
DRAM(Dynamic RAM)每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失。
因此SRAM具有较高的性能,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积,且功耗较大。所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。
4.2、RAM的工作原理是什么?
SRAM利用寄存器来存储信息,所以一旦掉电,资料就会全部丢失,只要供电,它的资料就会一直存在,不需要动态刷新,所以叫静态随机存储器。
DRAM 利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息,一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷,有电荷代表1,无电荷代表0。但时间一长,由于栅极漏电,代表1的电容会放电,代表0的电容会吸收电荷,这样会造成数据丢失,因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。刷新操作定期对电容进行检查,若电量大于满电量的1/2,则认为其代表1,并把电容充满电;若电量小于 1/2,则认为其代表0,并把电容放电,藉此来保持数据的连续性。这也是DRAM中的D(Dynamic动态)的意思。由于DRAM只使用一个MOS管来存信息,所以集成度可以很高,容量能够做的很大。SDRAM比它多了一个与CPU时钟同步。
4.3、SRAM
SRAM的速率高、性能好,它主要有如下应用:
(1)、CPU与主存之间的高速缓存。
(2)、CPU内部的L1/L2或外部的L2高速缓存。
Cache也是我们经常遇到的概念,也就是平常看到的一级缓存(L1 Cache)、二级缓存(L2 Cache)、三级缓存(L3 Cache)这些数据,它位于CPU与内存之间,是一个读写速度比内存更快的存储器。当CPU向内存中写入或读出数据时,这个数据也被存储进高速缓冲存储器中。当CPU再次需要这些数据时,CPU就从高速缓冲存储器读取数据,而不是访问较慢的内存,当然,如需要的数据在Cache中没有,CPU会再去读取内存中的数据。
Cache一般使用SRAM制造,它与CPU之间交换数据的速度高于DRAM,所以被称作"高速缓冲存储器",简称为"高速缓存"。由于CPU的信息处理速度常常超过其它部件的信息传递速度,所以使用一般的DRAM来作为信息存储器常常使CPU处于等待状态,造成资源的浪费。Cache就是为了解决这个问题而诞生的。在操作系统启动以后,CPU就把DRAM中经常被调用的一些系统信息暂时储存在Cache里面,以后当CPU需要调用这些信息时,首先到Cache里去找,如果找到了,就直接从Cache里读取,这样利用Cache的高速性能就可以节省很多时间。大多数CPU在自身中集成了一定量的Cache,一般被称作"一级缓存"或"内置Cache"。这部分存储器与CPU的信息交换速度是最快的,但容量较小。大多数主板上也集成了Cache,一般被称作"二级缓存"或"外置Cache",比内置Cache容量大些,一般可达到256K,现在有的主板已经使用了512K~2M的高速缓存。在最新的Pentium二代CPU内部,已经集成了一级缓存和二级缓存,那时主板上的Cache就只能叫作"三级缓存"了。
SSRAM(Synchronous SRAM)即同步静态随机存取存储器。同步是指Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;随机是指数据不是线性依次存储,而是由指定地址进行数据读写。
对于SSRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。这一点与异步SRAM不同,异步SRAM的访问独立于时钟,数据输入和输出都由地址的变化控制。
4.4、DRAM
DRAM分为很多种,按内存技术标准可分为FPRAM / FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、,DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等。
通常人们所说的SDRAM 是DRAM 的一种,它是同步动态存储器,利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据读写。使用SDRAM不但能提高系统表现,还能简化设计、提供高速的数据传输。在嵌入式系统中经常使用。
DDR RAM(Double-Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的, 不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存,在很多高端的显卡上,也配备了高速DDR RAM来提高带宽,这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
RDRAM(Rambus DRAM):总线式动态随机存储器,是由RAMBUS公司与INTEL公司合作提出的一项专利技术,它的数据传输率最高可达800MHZ,而它的总线宽度却仅为16bit,远远小于现在的SDRAM的64bit。
(1)SDRAM
(Synchronous Dynamic RAM,同步动态随机存储器)采用3.3V工作电压,内存数据位宽64位。 SDRAM与CPU通过一个相同的时钟频率锁在一起,使两者以相同的速度同步工作。 SDRAM它在每一个时钟脉冲的上升沿传输数据SDRAM内存金手指为168脚。
SDRAM内存有以下几种:PC66/100/133150/166,核心频率分别为66MHz,100Mz133MHz,150MHz,166MHz。时钟频率、等效频率与核心频率相等单根 SDRAM内存数据传输带宽最高为 166MHz × 64bit ÷ 8 = 1.3GB/s。
核心频率:是内存颗粒内部存储单元的工作频率,即电容的刷新频率。它是内存工作的基础频率,其他频率都是建立在它基础之上的。
时钟频率:又称内存总线频率,它是主板时钟芯片提供给内存的工作频率。
等效频率:又称等效数据传输频率,它是内存与外界据交换的实际频率。通常内存标签上贴的就是等效效率。
(2)DDR SDRAM
( Double data Rate SDRAM,双倍速率同步动态随机存储器)采用2.5V工作电压,内存数据位宽64位。 DDR SDRAM (简称DDR内存)一个时钟脉冲传输两次数据,分别在时钟脉冲的上升沿和下降沿各传输一次数据,因此称为双倍速率的SDRAM。
DDR内存金手指为184脚。DDR内存有以下几种::DDR 200 / 266 / 333400 / 500。核心频率与时钟频率相等,分别为100 MHz, 133 MHz, 166 MHz, 200 MHz, 250 MHz,等效频分别为200 MHz, 266 MHz, 333 MHz, 400 MHz, 500 MHz,请注意, DDR内存的等效频率是时钟频率的两倍,因为DDR内存是双倍速率工作的。DDR内存核心采用2位数据预读取,也就是一次(一个脉冲)取2位。
而DDR内存核心频率等于时钟频率,等效频率是时钟频率的2倍,所以内存核心一次(一个脉冲)取出的数能及时地一次(一个脉冲)传输出去。单根DDR内存数据传输带宽最高为500 MHz×64 bit 8-4 GB/s。
(3)DDR2 SDRAM
(Double Data Rate 2 SDRAM)采用1.8V工作电压,内存数据位宽64位。 DDR2内存和DDR内存一样,一个时钟脉冲传输两次数据,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存的预读取能力,即4位数据预读取。
DDR 2内存金手指为240脚。DDR2内存有以下几种: DDR2 533 / 667 / 800 / 066。核心频率分别为133 MHz, 166 MHz, 200 MHz, 266 MHz,时钟频率分别为: 266 MHz,333 MHz, 400 MHz, 533 MHz,等效频率分别为533 MHz, 667 MHz, 800 MHz, 1066 MHz。
前面已经说过, DDR2内存核心采用4位数据预读取,也就是一次(一个脉冲)取4位,如果和上一代DDR内存一样,时钟频率与核心频率相等,等效频率是时钟频率2倍的话,就无法及时地将取出的数传输出去;所以DDR 2内存的时钟频率是核心频率的2倍,这样才能将相同时间间隔内从内存核心取出的数,在相同时间间隔内传输出去。
单根DDR2内存的数据传输带宽最高为1066 MH2z X 64 bit 8 - 8.6 GB/s。
(4)DDR3 SDRAM
(Double Data Rate 3 SDRAM)采用1.5 V工作电压,内存数据位宽64位。同样, DDR3内存拥有两倍于上一代DDR2内存的预读取能力,即8位数据预读取。
对于DDR 3内存,可以得出以下关系:时钟频率是核心频率的4倍,等效频率是时钟频率的2倍,也就是说DDR3内存等效频率是核心频率的8倍。
DDR 3内存有以下几种: DDR3 1066 / 1333 / 1600 / 1800 / 2000。核心频率分别为133 MHz,166 MHz, 200 MHz, 225 MHz, 250 MHz,时钟频率分别分533 MHz, 667 MHz, 800 MHz,900 MHz, 1000 MHz,等效频率分别为: 1066 MHz, 1333 MHz, 1600 MHz, 1800 MHz,2000 MHz。单根DDR3内存的数据传输带宽最高为2000 MHz × 64 bit÷ 8 -16 GB/s。
(5)DDR4 SDRAM
(Double Data Rate 4 SDRAM)采用1.2V工作电压,内存数据位宽64位, 16位数据预读取。取消双通道机制,一条内存即为一条通道。工作频率最高可达4266 MHz,单根DDR4内存的数据传输带宽最高为34 GB/s。