GaN & Driver

#1， GaN Chip supplier
GaN, advange profile is low Ron, Cout, to reduce parts heat

1.1 Innoscience(英诺赛科）
1.2 Infineon
1.3 IEPC EPC2019, it is die, small package
1.4,GaN Systems
全球产业链公司包括：美国EPC、加拿大GaNsysterms、美国Dialog、美国Navitas、以色列VisIC Tech、GaN Pi，以及三大射频skyworks、Qorvo、安华高等、比利时EPI、台湾嘉晶电子、汉磊、台湾欣邦、台积电、联电、TI、日本松下、韩国三星、美国IR、安森美、ST、德国X-FAB、世界先进、Towerjazz,日本DOWA等。

大陆产业链公司包括：江苏纳维、东莞中镓、华威海芯（海特高新控股子公司）、耐威科技、苏州能讯、三安光电、英诺赛科、江苏华功、江苏能华（海陆重工参股子公司）、苏州晶湛、大连芯冠、苏州捷芯威、聚力成、世纪金光、山东加睿晶欣、捷笠、四川益丰电子以及13所、55所等军工单位

#2, GaN driver
2.1 Gate drive voltage
Si MOSFET约+/-20V，而GaN通常只有+/-10V。另外，GaN的导通阈值(VGTH) 约1.5V，远低于Si MOSFET(约3.5V)。
Chip:TI UCC27611, XLMG1020

2.2 Gate drice capability
对于最快的开关，一个典型的GaN器件需要被驱动到约5.2V的最佳VG(ON)值，这样才能完全增强，而不需要额外的门极驱动功率。驱动功率PD由下式得出：

其中VSW为总门极电压摆幅，f为开关频率，QGTOT为总门极电荷。虽然GaN门极具有有效的电容特性，但在门极的有效串联电阻和驱动器中功率被耗散。因此，使电压摆幅保持最小很重要，特别是在频率很高的情况下。通常，对于GaN来说，QGTOT是几nC，约是类似的硅MOSFET值的十分之一-这也是GaN能够如此快速开关的原因之一。GaN器件是由电荷控制的，因此对于纳秒开关具有纳米库仑门极电荷，峰值电流为放大器级，必须由驱动器提供，同时保持精确的电压.
　　NCP51820

#3， Design detail
　 3.1 米勒导通问题(在关段时，Cgd耦合高压到G，从而误开启）
　 https://blog.csdn.net/qq_39497587/article/details/114645993
　 当器件关断时，增强型GaN器件的的寄生电容Cds与Cgd进行充电，漏极电压由低电平跳变为高电平。寄生电容Cgd的充电电流路径如图 2所示，该电流的大小与寄生电容Cgd的容量大小以及漏极电压的变化率dV/dt正相关。该充电电流会为栅-源极之间的寄生电容Cgs充电，可能造成栅极电压升高，最终导致器件误开启，使电源发生损坏

为避免增强型GaN器件发生米勒导通问题，可在栅极与源极之间并联一个小容量的电容，降低C gd充电电流的影响。但该电容会增加栅极驱动损耗，限制器件的开关速度。更常见的做法是降低驱动放电电阻的阻值，使绝大部分的C gd充电电流通过放电电阻，可有效避免米勒导通现象的出现。
　
　 开尔文连接?
　
　#3, Layout
　 http://m.elecfans.com/article/1115322.html