MOSFET（二）：米勒效应

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分类专栏： MOSFET 文章标签： MOS 米勒效应米勒平台电源缓启动米勒电容

于 2021-01-27 11:24:10 首次发布

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一、米勒效应

$MOS$ 管的任何两极之间都会存在寄生电容，分别是 $C_{gs}$ ， $C_{gd}$ ， $C_{ds}$ ， $C_{gb}$ ，如下图所示：

其中， $MOS$ 管的米勒电容 $C_{gd}$ 会引起米勒效应：
在 $MOS$ 管导通过程中， $V_{gs}$ 电压上升到某一电压值后， $V_{gs}$ 电压有一段稳定值（图中 $t_{2}\rightarrow t_{3}$ 阶段），一段时间后 $V_{gs}$ 电压又开始上升直至完全导通。米勒效应会阻止 $V_{gs}$ 电压上升，使得导通时间变长，损耗加剧，具体过程如下图所示：

$t_{0}$ 时刻： $V_{gs}$ 为 $0$ ， $V_{d}> V_{g}$ ， $C_{gd}$ 充电，右正左负；
$t_{0}\rightarrow t_{1}$ 时刻： $V_{gs}$ 开始上升， $I_{g}$ 电流主要给 $C_{gs}$ 充电，当 $V_{gs}$ 达到开启电压 $V_{th}$ 时（ $t_{1}$ 时刻）， $MOS$ 开始导通， $V_{ds}$ 开始下降；
$t_{1}\rightarrow t_{2}$ 时刻： $V_{gs}$ 继续上升，给 $C_{gs}$ 充电， $V_{ds}$ 继续下降（下降较小），当 $V_{gs}$ 达到米勒平台电压 $V_{a}$ 时，开始进入米勒平台；
$t_{2}\rightarrow t_{3}$ 时刻： $t_{2}$ 时刻开始，随着 $V_{d}$ 下降， $V_{d}< V_{g}$ ，驱动电流主要开始反向给 $C_{gd}$ 充电，这段时间， $V_{gs}$ 没有增加，这段时间就是米勒平台；
$t_{3}\rightarrow t_{4}$ 时刻：随着 $C_{gd}$ 逐渐充满， $MOS$ 管完全导通， $V_{gs}$ 继续增加，直到最高的驱动电平 $V_{g}$ 。

二、应用

米勒平台虽然在高频开关状态会严重增加 $MOS$ 的开通损耗，但是在电源缓启动中有很大的用处。通过上图可以看到， $MOS$ 管两端电压 $V_{ds}$ 的下降区间，大部分都在米勒平台之间完成，如果增加 $MOS$ 管的米勒电容 $C_{gd}$ ，可以达到延长 $V_{ds}$ 的下降时间，也就可以利用 $MOS$ 管做开关，做电源的缓启动，在热拔插、独立模块供电、大功率设备上电，都有很好的益处。
下图为利用 $MOS$ 缓启动时的导通波形：

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MOSFET（二）：米勒效应

管做开关，做电源的缓启动，在热拔插、独立模块供电、大功率设备上电，都有很好的益处。的开通损耗，但是在电源缓启动中有很大的用处。米勒平台虽然在高频开关状态会严重增加。的下降区间，大部分都在米勒平台之间完成，如果增加。管的任何两极之间都会存在寄生电容，分别是。没有增加，这段时间就是米勒平台。电压又开始上升直至完全导通。的下降时间，也就可以利用。电压上升到某一电压值后，电压有一段稳定值（图中。，驱动电流主要开始反向给。
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