半导体器件(一) PN结

（一）本征半导体 杂质半导体

本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。无杂质、有稳定的结构。
在一定温度下本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。
杂质半导体有两种：N型半导体 P型半导体

N型半导体：

• 本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价电子，其中 4个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。

  电子称为多数载流子(简称多子)，Negitive
  空穴称为少数载流子(简称少子)。
  5 价杂质原子称为施主原子。
  
  P型半导体
  在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体。

   空穴为**多数载流子**，Positive 
   电子为**少数载流子**
   3 价杂质原子称为**受主原子**。
  

说明：
1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决定少数载流子的浓度。
2. 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体，因而其导电能力大大改善。
3. 杂质半导体总体上保持电中性。

（二） PN结的形成

PN结 形成过程： 扩散、飘移运动
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。

本来的P区和N区都是电中性的，由于多子的扩散，必然导致半导体内部的电中性被破坏，从而在导体内PN结处形成一个内电场：注意内电场的方向


耗尽层的宽度由扩散运动的强度确定的。耗尽层的电阻率很高，为高阻区。这是由于电阻的大小反映的是导电性能的高低，耗尽层已经达到动态平衡，基本不导电，自然电阻就很大。

虽然无论是扩散运动还是漂移运动，实际运动的都是电子。但是为了区别扩散运动和漂移运动，常常会将扩散运动运动称为多子运动，因为扩散是本区域中的多子进入对方区域的过程；相应的漂移运动就成为少子运动。

（三）PN结的特性

3.1 单向导电性

在PN 结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的正向电流，为防止电流过大，可接入电阻 R。
反向电流又称反向饱和电流I S。对温度十分敏感，随着温度升高， IS 将急剧增大。

3.2 PN结的电容效应
当PN上的电压发生变化时，PN 结中储存的电荷量将随之发生变化，使PN结具有电容效应。
电容效应包括两部分：势垒电容、扩散电容