半导体器件(一) PN结

本文介绍了半导体的基本类型,包括本征半导体和杂质半导体(N型、P型),阐述了掺杂过程及其对导电性的影响。接着,详细讲解了PN结的形成,涉及扩散、漂移运动以及耗尽层的概念。PN结具有单向导电性和电容效应,这些特性在电子设备中有重要应用。

(一)本征半导体 杂质半导体

本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。无杂质、有稳定的结构。
在一定温度下本征半导体中载流子的浓度是一定的,并且自由电子与空穴的浓度相等。
杂质半导体有两种:N型半导体 P型半导体

N型半导体

  • 本征半导体掺入 5 价元素后,原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价电子,其中 4个与硅构成共价键,多余一个电子只受自身原子核吸引,在室温下即可成为自由电子。

    电子称为多数载流子(简称多子),Negitive
    空穴称为少数载流子(简称少子)。
    5 价杂质原子称为施主原子
    在这里插入图片描述
    P型半导体
    在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素,如硼、镓、铟等,即构成 P 型半导体。

     空穴为**多数载流子**,Positive 
     电子为**少数载流子**
     3 价杂质原子称为**受主原子**。
    

在这里插入图片描述
说明:
1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度;温度决定少数载流子的浓度。
2. 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体,因而其导电能力大大改善。
3. 杂质半导体总体上保持电中性。

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