mlc tlc slc qlc_QLC、PLC闪存有多惨 最快35次写完 不过别怕.....

随着SSD硬盘从TLC向QLC及PLC闪存升级,虽然容量增大但写入寿命降低。行业报告显示,PLC闪存P/E寿命仅有35次。2DNAND工艺下,SLC至PLC寿命依次大幅下降。3DNAND技术有助于缓解这一问题。
摘要由CSDN通过智能技术生成

SSD硬盘现在已经开始从TLC闪存向着QLC闪存升级,未来很快还会升级到PLC,容量还会增加,但是代价就是写入寿命越来越低。从行业报告来看,PLC闪存的P/E寿命最短只有35次。

我们都知道NAND闪存的一些基本特性,那就是随着TLC、QLC及PLC的升级,P/E寿命会下降,同时制程工艺升级的话P/E寿命也会下降,双重叠加之后先进工艺的QLC、PLC寿命就会很难看。

那下降的到底有多严重,从行业报告来看,SLC闪存在5xnm工艺下寿命有11000次P/E,在3X、2X、1Xnm工艺下会下降到10000、7500、5000次,总体还是耐看的。

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MLC闪存在1xnm下寿命会减少到1500次,TLC则会极速下滑到500次,QLC再次下降一个量级到70次,PLC闪存则是直接降至35次,理论上就是35次全盘写入就不行了。

从这些数据来看,QLC闪存及未来的PLC闪存显然不够看,不过也别担心,上面的数据是2D NAND工艺下的,3D NAND闪存对工艺要求不高,P/E寿命还是可以看的。

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