[NAND Flash 5.1] 闪存芯片物理结构与SLC/MLC/TLC/QLC

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专栏 《深入理解NAND Flash》

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前言

1 闪存芯片简介

闪存颗粒是固态硬盘中数据的真实存储地，就像机械硬盘的磁盘一样。

闪存颗粒flash memory是一种存储介质，重要的区别于传统机械盘存储介质就是它是一种非易失性存储器，就是断电可以保存写入的数据，以固定大小的区块为单位，不是以单个的字节为单位。

2 颗粒类型

市面上常见的固态硬盘SSD闪存芯片颗粒类型分为四种：SLC、MLC、TLC、QLC 。

闪存颗粒有很多种类，现如今在固态硬盘中，最最常使用的现在最火热的就是NAND Flash memory 。因为它具有功耗低、价格低、性能佳的优点，在存储行业中，是最重要的存储原料。这些原料材料不好，研究啥都白扯，啥CPU控制也没用了。得材料着得天下。

2.1 闪存密度分类

SLC (单层存储单元)

MLC (双层存单元)

TLC (三层存储单元)

QLC (四层存储单元）

PLC (五层存储单元)

由于技术的发展，主流闪存颗粒类型为3D TLC NAND 闪存。相较MLC，3D TLC与以前相比