放大器的传递函数_放大器共模抑制比(CMRR)参数评估与电路共模抑制能力实例分析...

本文深入解析了放大器的共模抑制比(CMRR)概念,探讨了差模增益和共模增益的区别,并通过实例分析了电阻匹配对电路共模抑制能力的影响。通过对比不同型号放大器的CMRR性能,强调了在实际设计中,不仅需要关注放大器的CMRR参数,还需重视应用电路中元件精度对共模抑制比的影响。
摘要由CSDN通过智能技术生成

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许多硬件工程师会将放大器的共模抑制比视为最难掌握的直流参数,首先因为定义所涉及的因子容易产生混淆;其次,掌握了共模抑制比的定义,按其字面理解难以在设计中直接使用;最后,掌握了放大器的共模抑制比参数的评估方法,不代表可以在应用电路对共模信号实现有效抑制。本篇解析放大器共模抑制比参数定义与其影响的评估方法,以及结合一个实际案例讨论影响电路共模抑制的因素。

在讨论共模抑制比之前,先认识两个专有名词,差模增益Ad、共模增益Ac。

如图2.42(a),差模增益定义为加载于两个输入端之间的信号所获得的增益,如式2-24。

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其中,Vd为差模输入信号,它可以等效为图2.42(b)。

如图2.42(c),共模增益定义为同时加载于两个输入端信号所获得的增益,如式2-25。

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图2.42
集成运算放大器共模抑制比CMRR)是衡量其性能的重要指标之一,它表示运放对共模信号抑制能力的大小。设计具有高共模抑制比的集成运算放大器时,需要重点关注输入级的设计,因为输入级直接决定了共模抑制比的高低。 参考资源链接:[集成运算放大器滤波电路仿真解析](https://wenku.csdn.net/doc/2m97ia0fm8?spm=1055.2569.3001.10343) 首先,选择合适的输入差分对管是关键。使用低失配的双极型晶体管或MOS管可以提高CMRR。同时,确保两个输入晶体管的特性一致,包括它们的β值(对于双极型晶体管)和阈值电压(对于MOS管)。此外,使用具有高输入阻抗的差分对电路可以减少因输入阻抗不匹配引起的误差。 其次,应用恒流源作为负载,这不仅能够提升电压增益,而且有助于提高共模抑制比,因为恒流源能够维持一个稳定的偏置电流,减少由于电流源变化引起的共模误差。 然后,设计良好的偏置电路也是提高CMRR的关键。使用温度补偿和精确的电流镜技术可以为输入晶体管提供稳定的偏置条件,从而减少由于温度变化或电源波动导致的共模误差。 设计完成后,需要通过仿真软件进行测试验证。使用如SPICE等仿真工具,可以在电路设计阶段对集成运算放大器的性能进行模拟,特别是对共模抑制比的仿真测试。在仿真设置中,需要正确配置信号源,分别模拟共模信号和差模信号的输入,并观察输出端的响应。通过对共模信号和差模信号的响应进行比较,可以计算出CMRR的值。 最后,进行实际电路的搭建和测试也是必要的。将仿真中得到的设计参数应用到实际电路中,通过搭建电路板并使用示波器、数发生器等测试设备,测量并验证共模抑制比是否达到设计要求。 通过上述设计流程和仿真验证,你可以获得高共模抑制比的集成运算放大器设计。而《集成运算放大器滤波电路仿真解析》这本书详细介绍了集成运算放大器的设计和仿真知识,提供了丰富的实践案例和技巧,对于进行此类项目实战的工程师来说,是一本不可或缺的参考资料。 参考资源链接:[集成运算放大器滤波电路仿真解析](https://wenku.csdn.net/doc/2m97ia0fm8?spm=1055.2569.3001.10343)
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