死区时间
死区时间是
PWM
输出时,为了使
H
桥或半
H
桥的上下管不会因为开关速度问题发生同时
导通而设置的一个保护时段。
由于
IGBT
等功率器件都存在
一定的结电容,所以会造成器件导通关断的延迟现象。
一般在设计电路时已尽量降低该影响,
比如尽量提高控制极驱动电压电流,
设置结电容释放
回路等。为了使
igbt
工作可靠,避免由于关断延迟效应造成上下桥臂直通,有必要设置死
区时间,也就是上下桥臂同时关断时间。死区时间可有效地避免延迟效应所造成的一个
桥
臂未完全关断,而另一桥臂又处于导通状态,避免直通炸模块。
死区时间大,
模块工作更加可靠,
但会带来输出波形的失真及降低输出效率。
死区时间
小,输出波形要好一些,只是会降低可靠性,一般为
us
级。
IGBT
在关断时的脉冲后沿因少数载流子的存储效应会产生一个较大的
“
拖尾
”
电流
,因此所
产生的关断能耗(
Eoff
)在早期产品中非常突出。
死区时间调整硬件解决方案
摘要:
针对不同厂家
IPM
要求的死区时间参数的不同,
本文从硬件电路角度出发,
提出一种延时电路方案,解决了因参数调整而引起软件的不统一问题,进而为
MCU
的大批量
mask
降低成本提供可能。
关键词
:
IPM
死区时间
随着现代电力电子技术的飞速发展,
以绝缘栅双晶体管
(
IGBT
)
为代表的功
率器件在越来越多的场合得到广泛地应用。
IGBT
是
VDMOS
与双极晶体管的组
合
器件,集
MOSFET
与
GTR
的优点于一身,既具有输入阻抗高,开关速度快,热稳
定性好和驱动电路简单的长处,又具有通态电压低,耐压高和承受大电流的
优
点,
特别适合于电机控制。
现代逐渐得到普遍推广的变频空调,
其内部的压缩机
控制单元就是采用以
IGBT
为主要功率器件的新型智能模块(
IPM
)。
IPM
(智能功率模块)即
Intelligent
Power
Module
的缩写,它是将输出功
率器件
IGBT
和驱动电路、多种保护电路集成在同一模块内,与普通
IGBT
相比,
在系统性能和可靠性上均有进一步提高,
而且由于
IPM
通态损耗和开关损耗都
比较低,
使散热器的尺寸减小,
故整个系统的尺寸减小。
下面是
IPM
内部的电路
框图: