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3 、赋值时范围不同。用*p形式赋值时，如果是int*型的，会按照int来截取；如果是char *型的，会按照char的范围来截取。执行*pa = 0x12345678后，*pa的值就是0x12345678。执行*pb =0x12345678后，*pb的值就会被截取，值为0x78。int *指向空间需要有4个字节，char*指向空间有一个字节就可以了。如果int*指向的空间不足，那么对其读写时就会出现越界操作。用*取值时，int *得到的值是int类型的范围，而char *可以取到的值是char的返回。

如用sfr P1 = 0×90这一句定P1为P1端口在片内的寄存器，在后面的语句中我们用以用P1 = 255（对P1端口的所有引脚置高电平）之类的语句来操作特殊功能寄存器。sfr关键定后面是一个要定义的名字,可任意选取,但要符合标识符的命名规则,名字最好有一定的含义如P1口可以用P1为名,这样程序会变的好读好多.等号后面必须是常数,不允许有带运算符的表达式,而且该常数必须在特殊功能寄存器的地址范围之内(80H-FFH),具体可查看附录中的相关表.当然您也可以自己写自己的定义文件，用您认为好记的名字。

程序可以简单的分为code（程序）区，和data （数据）区，code区在运行的时候是不可以更改的，data区放全局变量和临时变量，是要不断的改变的，cpu从code区读取指令，对data区的数据进行运算处理，因此code区存储在什么介质上并不重要，象以前的计算机程序存储在卡片上，code区也可以放在rom里面，也可以放在ram里面，也可以放在flash里面（但是运行速度要慢很多，主要读flash比读ram要费时间），因此一般的做法是要将程序放到flash里面，然后load到ram里面运行的;

合泰单片机的内部可能会有多个ram bank ，bank0、bank1等，但是位变量的定义其要求必须定义到bank0内。根据其手册内容其他变量也尽可能定义到bank0内，这样读取速度更快。合泰单片机的位变量定义时，根据其C语言规范，需要将位变量定义到#pragma rambank0和#pragma norambank之间。原文链接：https://blog.csdn.net/sailor_shuishou/article/details/6953773。

本文章结合了一个简单的实例，从浪涌试验的角度介绍了前级电路器件选型和典型电路，在以后的文章中我们将继续更深入的探讨抗浪涌电路相关内容，并从其他EMC性能指标的角度来设计EMC前级电路。当对ACL-PE或ACN-PE测试6KV浪涌时，即共模浪涌试验，共模路径等效为一个内阻约为12Ω，脉冲电压为6KV的电压源与共模电感、Y电容串联。如图1所示为小功率电源模块中常用的EMC前级原理图，FUSE为保险丝，MOV为压敏电阻，Cx为X电容，LDM为差模电感，Lcm为共模电感，Cy1和Cy2为Y电容，NTC为热敏电阻。

输出经过一个稳压器得到高精度的5V电压，其中一路输出给RC充放电，产生一定频率的三角波，还有一路经过精密电阻分压产生2.5V输入给误差放大器的正输入端，而2脚负输入端一般接反馈电压，经过误差放大器放大输出，1脚作为放大器输出端，引出来的目的之一就是作反馈和作输出补偿，和负输入端之间一般接个电容，构成积分电路，使电压变得缓慢，起到补偿作用；此处应该是：当过流保护后，很快电流信号变无，此处R的高电平维持时间端，小于S的高电平时间，故此刻状态不会出现，亦或者是，上图中的T触发器作用，此处为猜测。

如此看来，图1中的叠层结构性能不如图2的层叠结构，因为其信号层与参考层之间的绝缘层厚度更大，所以信号层和参考层的耦合度更低。通常，可以通过布置靠近IC的去耦电容来解决瞬间电源问题，但是如果需要电源频率过高，高于去耦电容自身的谐振频率，那么电容将变成一颗电感，而失去存储电能的作用。所以，信号回流可以通过相邻的参考层，从而减小信号回路面积，减小信号路径的电感。最后，图6和7的叠层结构中，高速信号可以换层，因为信号的参考有完整的参考地平面（两边都有），地平面间摆放的过孔提过良好的连通性，从而减小回流路径的阻抗。

1）上面的比较器（阈值比较器）的输入是连接到同相输入（+）的阈值引脚，2/3Ucc的参考电压连接到比较器的反相输入 (-)。另一个外部引脚“控制电压”连接到该比较器的反相输入（-），这样就可以覆盖2/3Ucc的参考电压，还可以改变输出信号的宽度。当S输入为逻辑“1”时，设置触发器输出逻辑“1”，当R引脚为逻辑“1”时，触发器输出逻辑“1”。触发器的输出是 Q 和 /Q ，其中 Q 和 /Q 互为补集。触发器有两个输入：标记位“A”的阈值比较器的输出连接到R，标记为“B”的触发器的输出连接到S。

上图1红圈里的互补PWM输出会造成问题的，首先，半导体器件内部都有结电容的，列如MOS管，MOS管导通，需要对MOS管的GS电容进行充电，只用GS电压大于阈值电压，MOS管才能导通；所以，在控制波形沿跳变时刻，一个MOS管GS电容在充电，一个MOS管GS电容在放电，这样会存在两个管子同时导通的情况，一个管子还没关断，另一个管子就开通了，从而造成VCC和GND短路。那么，如果两个管子都用PWM波控制的话，则两个PWM波形极性相反，图1中红色圈内的波形，高低电平相反，我们把这种波形称为互补PWM波形。

如果MOS管用作开关时，（不论N沟道还是P沟道），一定是寄生二极管的负极接输入边，正极接输出端或接地。如图2所示 由于寄生二极管直接导通，因此S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用。常见的有：AOL1448，AOL1428A，AON7406，AON7702，MDV1660，常见的有：AOL1448，AOL1428A，AON7406，AON7702，MDV1660，比如常见的：2N7002，2N7002E，2N7002K，2N7002D，FDV301N。要么都由S指向D，要么都由D指向S。

/频率一定，调整占空比。#define FLAG_F1 ((K1==1)&&(K2==1)&&(K3==1)&&(K4==1)) //第1档。#define FLAG_F2 ((K1==0)&&(K2==1)&&(K3==1)&&(K4==1)) //第2档。#define FLAG_F3 ((K1==1)&&(K2==0)&&(K3==1)&&(K4==1)) //第3档。#define FLAG_F4 ((K1==1)&&(K2==1)&&(K3==0)&&(K4==1)) //第4档。

这样定义了这个共用体后，由于Test_u16变量和Bits结构体共用体一个内存空间，因此对Bits的成员变量操作，也就是一个位的操作，就能同时对Test_u16的对应位操作，也就实现了对Test_u16进行位操作。共用体实现位操作的关键就在于这个内部的结构体，首先明确一个知识，就是结构体内存中是连续的，但是不需要是一个完整的字节，因此定义内部定义16个一bit的位域，例如：u8 bit0 : 1;先定义一个共用体，内部定义一个16位的变量，内部再定义一个结构体。这样就实现了位操作。

如果MOS管用作开关时，（不论N沟道还是P沟道），一定是寄生二极管的负极接输入边，正极接输出端或接地。如图2所示 由于寄生二极管直接导通，因此S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用。常见的有：AOL1448，AOL1428A，AON7406，AON7702，MDV1660，常见的有：AOL1448，AOL1428A，AON7406，AON7702，MDV1660，比如常见的：2N7002，2N7002E，2N7002K，2N7002D，FDV301N。要么都由S指向D，要么都由D指向S。

硬流控的RTS 、CTS ：RTS （Require ToSend，发送请求）为输出信号，用于指示本设备准备好可接收；CTS （Clear ToSend，发送清除）为输入信号，有效时停止发送。假定A、B两设备通信，A设备的RTS 连接B设备的CTS；A设备的CTS连接B设备的RTS。前一路信号控制B设备的发送，后一路信号控制A设备的发送。对B设备的发送（A设备接收）来说，如果A设备接收缓冲快满的时发出RTS信号（高电平）（意思通知B设备停止发送），B设备通过CTS 检测到该信号，停止发送；

顾名思义，这是一种混合模式，指的是WIFI模块工作时既支持AP模式，又支持STA模式。当WIFI模块的这两种模式共存时，既可以作为STA设备连接其它AP设备，又可以作为AP设备让别的STA模式设备进行接入，这两个过程可以同时进行，这样可以通过互联网控制可实现无缝切换，更加方便操作。STA是Station的缩写，它是无线网络中的一个终端站点设备，可以看成是一个客户端，一般来说，处在STA模式下的设备本身不接受无线的接入，该设备连接到AP节点进行网络访问，STA模式下的设备之间的通信可以通过AP进行转发实现。

ASCII码对照表

子网掩码通常有十进制和二级制两种表现形式，255.255.0.0用二进制表示则为1111111.11111111.00000000.00000000，其中，前面2个字节的16位“1”表示网络号，后面2个字节的16位“0”表示主机号。子网掩码有两个特殊地址，当子网掩码的主机地址全为0时，表示该网络地址，当子网掩码的主机地址全为1时，表示该网络的广播地址。上文中的26代表主机ID的掩码地址长度，从前往后有26位，即子网掩码的地址是255.255.255.192。1）将主机数目转化为二进制来表示，总位数是N；

与此同时，感应电压给 C1 充电，随着 C1 充电电压的增高， VT1 基极电位逐渐变低，致使 VT1 退出饱和区， Ic 开始减小，在 L2 中感应出使 VT1 基极为负、发射极为正的电压，使 VT1 迅速截止，这时二极管 VD1 导通，高频变压器Ｔ初级绕组中的储能释放给负载。开关电源高频化是其发展的方向，高频化使开关电源小型化，并使开关电源进入更广泛的应用领域，特别是在高新技术领域的应用，推动了开关电源的发展前进，每年以超过两位数字的增长率向着轻、小、薄、低噪声、高可靠、抗干扰的方向发展。

485芯片 有很多种，根据个人需要选型 ，我目前使用的是3.3V供电的工业芯片MAX3485（也可以选择5.0V供电的MAX485),数据传输速率可高达10Mbps。RS485是差分信号，，半双工、平衡传输线多点通信的标准，两个设备之间使用双绞屏蔽线缆连接，两个线缆分别传输A和B信号。高电平(1)：B线上的电压减去A线上的电压是+（0.2—6） V时，表示高电平。低电平(0)：B线上的电压减去A线上的电压是-（0.2—6）V时，表示低电平。RS485总线具有两种逻辑电平：高电平(1)和低电平（0）