超频到3200最佳时序_ddr4内存时序多少为好

ddr4内存时序多少为好，ddr4内存时序参数3200（16）8G×16，CL 16-16-16 1.35V为好，不过根据不同品牌体质的内存有不同的差异。

ddr4内存时序多少为好

　　1、ddr4内存时序参数3200（16）8G×16，CL 16-16-16 1.35V为好，默认DDR4 2133，1.2V，加载XMP可以直接提升频率为DDR4 3200 16-16-16-36 2T，高频下的电压为1.35V；

　　2、ddr4内存不动第一时序就尽量不动第一时序，首先应该从调整第二时序入手，放大tRFC、tREF一般可以获得更高的频率；ddr4内存与ddr4、ddr42内存不同，第一时序中的CR对内存频率和性能影响并不大；ddr4第二时序中的tRTP、tRTW和tWTR对性能影响不大，可以适当放宽以提高超频后的稳定性，tRRD对性能的影响则比较大，尽量避免牺牲tRRD来换取高频；第三时序虽然不起眼而且经常被遗忘，但是其对性能的影响也不小，不建议牺牲第三时序来换取高频，尤其是tRDRD和tWRWR；

　　以上就是ddr4内存时序多少为好的具体介绍了，希望小编的介绍可以帮助到你哦。