mos管 rl_三极管与mos管(场效应管)及可控硅区别

三极管与mos管(场效应管)及可控硅区别

MOS管的特性、工作原理，与真空电子管类似：栅极没有电流，即没有输入电流，具有高输入阻抗；漏极电流由栅极电压控制，是电压控制器件……

半导体三极管是两个P-N结组成，由基极电流来控制集电极电流，是一个电流控制器件；基极输入的是电流，输入阻抗低，需要输入功率……

另：

1、场效应管是电压控制元件，而晶体管的是电流控制元件。在只允许从信号源取较小电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，只允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

2、场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称为双极型器件。

3、有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。

4、场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

5、三极管导通电阻大，场效应管导通电阻小，只有几百毫欧姆。

6、请参阅上文MOS管的判断与测量

场效应管 VS 三极管

1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。

2．场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB(或iE)控制iC。