名词概念
集成电路(Integrated Circuits,简称IC)
小规模集成电路(Small Scale Integration,简称SSI)
中规模集成电路(Medium Scale Integration,简称MSI)
大规模集成电路(Large Scale Integration,简称LSI)
超大规模集成电路(Very Large Scale Integration,简称VLSI)
二极管门电路
二极管与门电路
![截屏2020-03-12上午11.16.29](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/75ebdf9e8f3c14f2d18090df3e21b5b6.png)
上述电路逻辑电平与真值表
![截屏2020-03-12上午11.17.20](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/7f29a40285421fc5ae5a220ee5a97ac7.png)
缺点:输出的高、低电平与输入的高、低电平数值不相等,差一个二极管的正向导通压降,如果把这个输出作为下一级门的输入信号,将发生信号高、低电平的偏移;另外,当输出端对地接上负载电阻,负载电阻的改变有时会影响输出的高电平。
二极管或门电路
![截屏2020-03-12上午11.18.05](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/6ddf82b478050db5cac7af201801af5c.png)
上述电路逻辑电平与真值表
![截屏2020-03-12上午11.18.38](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/78a142eb4eaab0017287f2f2a0d1f351.png)
CMOS门电路
CMOS集成电路中,以金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称MOS管)作为开关器件。
MOS管的结构和工作原理
用P型衬底(图中B),制作两个高掺杂浓度的N型区,形成MOS管的源极S(Source)和漏极D(Drain),另外一个电极栅极G(Gain),通常用金属铝或多晶硅制作。
![截屏2020-03-12上午11.19.55](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/e4adbeb74eb20a0ae2d5db8cba91a9c8.png)
在D和S极上加上电压Vds,设置Vgs=0,D和S之间不导通,Id=0;
在D和S极上加上电压Vds,设置Vgs>Vgs(th),由于栅极和衬底之间的电场吸引,使衬底中的少数载流子-电子聚集到栅极下面的衬底表面,形成一个N型的反型层,这个反型层就构成了D和S之间的导电沟道,于是就有ID流通,这个Vgs(th)成为MOS管的开启电压。
随着Vgs的增大,导电沟道的截面积增大,所以Id会增大,也就是可以通过Vgs控制Id的大小。
为防止有电流从衬底流到S极和导电沟道,一般将衬底和源极接在一起,或者接到系统最低电位上。
MOS管的输入输出特性
如下是MOS管的共源接法,GS作为输入,DS作为输出。
![截屏2020-03-12上午11.23.07](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/2db8b427d6611c0407b509cd6f226a8b.png)
(a)共源接法 (b)输出特性曲线
右边的图称为MOS的输出特性曲线,也叫MOS管的漏极特性曲线,有三个工作区域,截止区,可变电阻区,恒流区。
1、截止区,Vgs<Vgs(th)时,D和S之间没有导电沟道,Id=0,DS之间的内阻非常大,可达$10^9$Ω以上,曲线上Vgs<Vgs(th)的区域称为截止区。
2、当Vgs>Vgs(th)后,D和S之间出现导电沟道,有ID产生,可以分为两个区,一个是可变电阻区,见上图虚线左边区域,在这个区