数电门电路

名词概念

• 集成电路(Integrated Circuits，简称IC)

• 小规模集成电路(Small Scale Integration，简称SSI)

• 中规模集成电路(Medium Scale Integration，简称MSI)

• 大规模集成电路(Large Scale Integration，简称LSI)

• 超大规模集成电路(Very Large Scale Integration，简称VLSI)

二极管门电路

二极管与门电路

上述电路逻辑电平与真值表

缺点：输出的高、低电平与输入的高、低电平数值不相等，差一个二极管的正向导通压降，如果把这个输出作为下一级门的输入信号，将发生信号高、低电平的偏移；另外，当输出端对地接上负载电阻，负载电阻的改变有时会影响输出的高电平。

二极管或门电路

上述电路逻辑电平与真值表

CMOS门电路

CMOS集成电路中，以金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOS管)作为开关器件。

MOS管的结构和工作原理

用P型衬底(图中B)，制作两个高掺杂浓度的N型区，形成MOS管的源极S(Source)和漏极D(Drain)，另外一个电极栅极G(Gain)，通常用金属铝或多晶硅制作。

在D和S极上加上电压Vds，设置Vgs=0，D和S之间不导通，Id=0；

在D和S极上加上电压Vds，设置Vgs>Vgs(th)，由于栅极和衬底之间的电场吸引，使衬底中的少数载流子-电子聚集到栅极下面的衬底表面，形成一个N型的反型层，这个反型层就构成了D和S之间的导电沟道，于是就有ID流通，这个Vgs(th)成为MOS管的开启电压。

随着Vgs的增大，导电沟道的截面积增大，所以Id会增大，也就是可以通过Vgs控制Id的大小。

为防止有电流从衬底流到S极和导电沟道，一般将衬底和源极接在一起，或者接到系统最低电位上。

MOS管的输入输出特性

如下是MOS管的共源接法，GS作为输入，DS作为输出。

(a)共源接法 (b)输出特性曲线

右边的图称为MOS的输出特性曲线，也叫MOS管的漏极特性曲线，有三个工作区域，截止区，可变电阻区，恒流区。

1、截止区，Vgs<Vgs(th)时，D和S之间没有导电沟道，Id=0，DS之间的内阻非常大，可达$10^9$Ω以上，曲线上Vgs<Vgs(th)的区域称为截止区。

2、当Vgs>Vgs(th)后，D和S之间出现导电沟道，有ID产生，可以分为两个区，一个是可变电阻区，见上图虚线左边区域，在这个区