可控硅和场效应管区别

可控硅 (Thyristor) 和场效应管 (Field-effect transistor, FET) 是两种不同类型的半导体控制元件，它们在控制电流方面有很大的不同。

可控硅是一种三极半导体器件，具有正反导通和正向阻断两种状态，控制电流的流动需要输入阈值电压。可控硅的优点是可靠性高、成本低廉，适用于需要快速开关和高电流导通的应用。

场效应管是一种二极半导体器件，通过控制场效应(即控制导通沟道的电子流动)来控制电流流动。场效应管的优点是电流控制灵敏，功率损耗小，适用于需要精细控制电流的应用。

因此，可控硅和场效应管的主要区别在于控制电流的方式和性能特征，选择哪种器件取决于应用的具体需求