宋浩 概率统计 笔记_半导体物理学习笔记（4）

第四章 半导体的导电性

前三章，载流子都是处于平衡态。这章终于要让他们动起来了。

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1 基本概念

对于载流子受电场作用做漂移运动形成电流，我们有欧姆定律及其微分形式可以描述

也将平均漂移速度与电场之比称为迁移率

在半导体中，有电子与空穴两种载流子。这两种载流子有各自的迁移率与浓度，分别对电导有贡献。

2 载流子的散射

散射对载流子的漂移过程有很大的影响。在有外加电场时，载流子在电场的作用下加速。散射使得载流子的加速过程不会无限的进行下去。（注：书里这一部分应该没有考虑能带的事情。在电场的作用下，载流子在k空间做匀速运动。是散射使得这个匀速运动不能进行下去，于是产生了恒定的电流。详见任意一本固体物理）

载流子被散射的根本原因是周期性势场被破坏，使得不同k的状态之间可以发生跃迁。常见的散射的原因有电离杂质散射、晶格振动散射（声子散射）、其他因素（谷间散射、中性杂质散射、位错散射、合金散射等）。载流子之间在强简并时也有散射作用。

（1）迁移率与杂质浓度和温度的关系：简单模型

下面尝试通过不考虑载流子速度的统计分布的简单模型讨论迁移率的相关问题。

设有

个电子以速度

向某一方向运动，散射概率为

，则有

也即

自由时间在

范围内的电子数量为

，于是平均自由时间

现在在x方向施加电场

，并且考虑某一在

时被散射的电子，假定其散射后x方向的速度为

，则再次散射前x方向的速度为

考虑其平均值，并假定

，有

于是

同理，对于空穴，有

对于有多个能谷，每个能谷有不同有效质量的，最终表达式与上述类似，只不过有效质量被换成了“电导有效质量”。

上面提到，散射机制有很多。一般来说，这些机制是同时存在的。设第

种机制的散射概率为

，对应的平均自由时间为

，有总散射概率及总自由时间：

对于之前提到的散射机制，这里不加证明地给出其平均自由时间与温度等参数的关系。(这个表格真难看……)

（2）杂质浓度

下面关注一下多子与少子的迁移率与杂质浓度的关系。

图片来自刘恩科的《半导体物理学》

可以看到：

1. 杂质浓度较低时，对于同一种载流子，多子与少子的迁移率近乎相等。
2. 杂质浓度增大时，迁移率单调下降。
3. 对同一种载流子，少子的迁移率大于多子的迁移率，并且两者之差随着杂质浓度的增加而增加。这是由于杂质可以俘获多子，从而降低其迁移率导致的。

（3）温度

对于纯半导体材料，电阻率主要由载流子浓度决定。又载流子浓度随温度升高而急剧增加，因而本征半导体的电阻率随温度上升而下降。这与金属有所区别。

杂质半导体要复杂一些。其中的载流子浓度由杂质电离与本征激发两个过程决定，散射机制也有电离杂质散射与晶格散射两种。

图片来自刘恩科的《半导体物理学》

如上图所示，电阻率-温度曲线主要分为三段

• AB段温度很低，主导机制是杂质电离提供载流子以及电离杂质散射，电阻率随温度增加而下降。（温度升高，电离杂质浓度变大，为什么书中称迁移率升高？）
• BC段杂质完全电离，本征激发不显著，载流子浓度变化不大，但是散射过程转变为声子散射起主导作用，电阻率上升。
• C以后温度更高，本征激发起主导作用。此时半导体的表现类似于本征半导体，电阻率随温度升高而下降。

一般来说，当温度升高到本征激发起主导作用时，器件就不能正常工作了。这个温度，一般来说，对于锗器件为100℃，硅器件为250℃，砷化镓器件为450℃。

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下一篇继续写玻尔兹曼方程啥的，虽然在固体物理中学过了，但是复习一下也是好的。