不同型号的二极管模块并联_基于SiC二极管的交错式PFC模块

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芯能为配合客户定制开发了一款交错式PFC的模块。采用了自主研发的两颗600V40A的高频IGBT芯片和两颗SiC二极管。用零反向恢复电流600V15A SiC JBS二极管芯片,来最大化IGBT及SiC二极管性能。封装成DIP26模块,极大的方便终端客户的装配。采用真空焊接工艺降低焊接空洞率,保证高绝缘强度的情况下,提高模块导热性。

交错式PFC是一种新兴的功率因数校正PFC技术,它将传统的单个大功率PFC分解为两个功率减半的并联PFC,这两个功率减半的PFC以180°的相位差交替工作。不仅可以减小单个电感的容量,而且可以降低对功率器件的电性要求,改善热性能,同时可以减小电流纹波,进而减小升压电容均方根电流及系统损耗。常规的交错式PFC由高频IGBT及FRD二极管组成,但FRD二极管在关断时释放开通过程中存储的少数载流子,形成较大的反向电流,不仅增加了升压二极管的损耗,而且这些反向电流也会通过高频IGBT,造成高频IGBT更大的开通损耗,恶化了高频IGBT的性能。同时产生很高的di/dt,形成严重的电磁干扰。SiC的JBS二极管以多数载流子电子作为电流的媒介,不同于以少数载流子传输电流的FRD二极管,它的反向恢复电流几乎是0,可以降低高频IGBT及升压二极管的开关损耗,减小器件的电压及电流应力,改善电磁干扰。

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无刷直流电机是一种电能转换设备,广泛应用于工业和消费电子领域。基于并联SiC MOSFET架构的高效驱动技术研究使得无刷直流电机具有更好的性能和能效。 首先,采用SiC(碳化硅)MOSFET作为无刷直流电机的驱动器件,具有较低的功耗和导通损耗。相比传统的硅材料,SiC材料的电子迁移率更高,导致了更低的导通电阻和开关损耗。因此,基于并联SiC MOSFET架构的无刷直流电机驱动技术大大提高了能效。 其次,该技术研究中还采用了并联的架构,即多个SiC MOSFET并联工作。通过并联多个器件,电流可以分担到各个器件上,减小了单个器件的工作负荷,提高了系统的可靠性和稳定性。同时,并联架构还可以降低峰值电流,减少电能转换过程中的能量损耗,提高了整个系统的能效。 此外,该研究还关注了无刷直流电机的控制算法优化。通过改进控制算法,可以更精确地控制电机的转速和输出功率。控制算法还可以通过实时监测和调整电机相电流和电压,以最大程度地提高电机的效率和稳定性。 综上所述,基于并联SiC MOSFET架构的无刷直流电机高效驱动技术研究通过降低器件的功耗和开关损耗、采用并联架构和优化控制算法,实现了无刷直流电机的高效驱动。这种研究为无刷直流电机的应用提供了更高的能效和稳定性,促进了电能转换技术的发展。

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