计算石墨烯能带_电子科大：硅基石墨烯高性能光电探测器

石墨烯是一种具有独特电子、光子和光电特性的单层二维(2D)材料。尽管石墨烯具有许多优点，但以石墨烯为主要吸光材料设计的光电探测器通常存在单层石墨烯2.3%的相对较低的光吸收和较低的量子效率等缺陷，这限制了其光电探测性能。

为了增强石墨烯的光吸收，现有方法包括量子点集成、微腔集成、波导集成、天线集成、变光调制器集成[、介电层集成和带石墨烯的传感器集成。然而，这些方法对于石墨烯光电探测器的实际应用有很大的局限性。石墨烯和传统三维半导体的结合可以解决这个问题。石墨烯在界面处与硅锗半导体基底形成肖特基势垒接触。近年来，另一种碳纳米材料：石墨烯纳米片(GNWs)垂直立放在基底上，显示出良好的发展趋势。GNWs具有与石墨烯相似的独特的光学和电学性质，可应用于许多领域，如生物应用、红外(IR)检测、柔性传感器和纳米复合材料。然而，值得注意的是，基于GNWs/硅异质结光电探测器的光电探测器属于光伏探测器。基于GNWs/硅异质结的光电导探测器在国内外还未见报道，对GNWs/半导体异质结光电探测机理的系统研究也鲜有文献报道。同时，对于光导模式器件，GNWs薄膜必须是微/纳米结构才能实现光导通道，其微加工相容性还需要进一步的实验研究。

GNWs光电探测器制备工艺。(a) 硅基清洗；(b)在硅上生长GNWs；(c)金属电极的剥离；(d)刻蚀。

付永启等人最近报道了一种采用双层光刻胶光刻和反应离子刻蚀(RIE)工艺制备了三种不同的硅基光导器件。系统分析了GNWs/Si杂化异质结的光选通效应，揭示了光生载流子的产生分离、输运和复合过程。对不同器件进行了一系列的表征，发现在低源漏偏压下，三种器件的光电流是不同的。根据暗电流实验的线性关系，计算了结的肖特基势垒高度。他们还基于这些将结果提出了一种新的GNWs/Si杂化结图案化技术。这些结果有助于今后高性能光电探测器的发展。

(a) 设备结构图(b) GNWs/n-Si异质结能带(c)GNWs/i-Si异质结能带(d)GNWs/p-Si异质结能带

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相关工作发表在Carbon 上。

Carbon 2020, 163, 181-186

DOI: 10.1016/j.carbon.2020.02.023