海力士内存命名_英特尔再添对手，SK海力士积极开发新一代SCM

韩国DRAM和NAND制造商SK海力士(SK Hynix)正积极开发新一代存储级内存(Storage Class Memory，简称SCM)，这是目前第五家SCM供应商，其他四家分别是Intel、美光、三星以及WD。

早在六个月前，在旧金山举行的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上，SK海力士研究人员提交了《高性能，经济高效的2z nm双层交叉点存储器，通过自对准方案集成128 Gb SCM》的论文。现在有信息显示，SK海力士(SK Hynix)的SCM产品正处于积极研究阶段。

SCM是一个存储层，意味着它是非易失性的，比普通闪存更快，但速度比DRAM慢。与闪存相比，它具有接近DRAM的速度，并且可以通过软件直接在字节级与存储器(加载，存储)语义进行寻址。SCM属于相变存储的一种，是使用与硫属化物选择器装置集成的相变材料的双层(双层)交叉点存储器。

使用相变存储器时，玻璃状硫属化物材料将其内部条件从非晶态变为晶态，并在施加适量电量时再次返回。状态变化具有相关的电阻变化，并且读取电阻水平揭示了电阻水平的二进制值。两个不同的电阻水平用于发信号通知二进制1和0。

使用自对准工艺制造单元。SK海力士(SK Hynix)论文中的图表显示了与英特尔3D XPoint技术的强烈相似性：

SK海力士Xpoint自对准工艺集成方案图：(a)电池堆材料沉积; (b)在自对准WL(字线)图案化之后; (c)ILD(层间电介质)沉积，CMP(化学机械抛光)和BL(位线)沉积; (d)自对准BL图案化TE，ME和BE是顶部，中间和基部电极。

Intel XPoint 工艺集成方案图

SK海力士该研究设备在16Mb测试阵列中的读取延迟<100 ns，与英特尔的3D XPoint 350ns读取延迟相当。根据SK海力士研究人员的说法，这种延迟使该技术适用于由16组单元组成的128Gb存储级存储芯片。

SK海力士128Gb XPoint模具纸质平面图

目前市场中已经有五家SCM供应商：

• Intel Optane -- 3D XPoint技术

• Micron -- QuantX 3D XPoint于2016年夏季亮相，将于今年晚些时候推出

• 三星 -- Z-NAND

• SK海力士即将推出的3D XPoint(硫属化物)技术

• Western Digital的ReRAM(电阻式RAM)技术，在Sandisk下开发。

这五家供应商中，Intel无疑是商用步伐最快的供应商，其Optane产品已经在消费级和企业级市场中得到商用。三星的Z-Nand步伐也不慢，三星的Z-SSD系列使用第四代V-NAND，也就是64层堆栈的V-NAND闪存，不过这种闪存跟普通NAND也有不同，三星用了Z-NAND的新名字命名，它的特性介于DRAM内存和NAND闪存之间，性能比NAND闪存更强，但比DRAM又有非易失性的特点，听上去就跟Intel的3D XPoint闪存很相似。

据悉，美光的SCM产品可能会在2022年推出，SK海力士和Western Digital的ReRAM依然处于研发阶段。