什么是SCM介质?
SCM(Storage Class Memory)是当前业界非常热门的新介质形态,同时具备持久化(Storage Class)和快速字节级访问(Memory)的特点。当前也有叫SCM为PM(PersistentMemory)介质或者NVM(Non-VolatileMemory)介质。SCM介质的访问时延普遍小于1µs,比当前常用的NAND FLASH快2-3个数量级,读写时也没有NAND Flash顺序写入和写前擦除的约束,操作过程更简单;同时,SCM介质的在寿命和数据保持能力方面的表现也远超NAND Flash。基于这些特点,业界普遍认为SCM会成为颠覆存储系统设计的新一代介质,并优先应用于性能和可靠性要求较高的场景。
SCM介质现状
目前在研的SCM介质种类繁多,但是比较主流的有4个大类: PCM、ReRAM、MRAM和NRAM。
**PCM(Phase-change memory)**即相变存储器,利用特殊合金材料在晶态和非晶态下的导电性差异来表示0或者1的状态。其优点是结构简单,便于实现大容量和低成本,缺点是对于高温比较敏感。PCM可用于Cache加速场景和大内存应用场景,由于其寿命和内存仍有一定差距,因此需要在系统设计上针对PCM进行优化以避免“写穿”。一个典型的设计优化是搭配DRAM,形成分级的大容量内存资源池,同时满足高性能和高可靠要求。业界SCM的典型代表为Intel和Micron联合研发的3DXpoint。从当前的技术和市场发展趋势看,3DXpoint是未来3年内最具规模商用能力的S