镁光ddr3布线规则_DDR3走线规则.pdf

本文档提供了DDR3内存接口的PCB设计建议,包括四层和二层PCB的分层布局,元器件布局和信号走线注意事项。针对DDR2接口设计,详细说明了不同容量下颗粒的连接方式,并给出了信号线阻抗匹配的设计指导。
摘要由CSDN通过智能技术生成

DDR3走线规则

3 PCB 设计建议

3.1 Fanout封装设计建议

Hi3716M 的封装为PBGA600 ,管脚间距0.8 毫米。在PCB 设计时,

可以采用四层PCB 板的设计,建议如下分层:

TOP 层:信号走线

内一层:地平面层

内二层:电源平面层

BOTTOM 层:信号走线

在成本非常敏感的应用方案中,也可以采用二层PCB 板的设计,PCB 分

层建议如下:

TOP 层:信号走线和部分电源走线

BOTTOM 层:地平面层和部分电源走线

PCB 设计注意事项:

元器件布局在TOP 层,信号线尽量走TOP 层,滤波小电容可放在

BOTTOM 层。

电源管脚用走粗线。

尽量保持BOTTOM 层为一个完整的地平面层。

主芯片出线推荐过孔大小为8mil, 线宽为5mil 。PCB 材料FR-4 ,

PCB 板厚度为1.6 毫米,铜箔厚度为1 盎司,填充介质介电常数4.2 。

主芯片出线示例如图3-1 所示。

图3-1 主芯片出线示例图

3.2 DDR SDRAM接口电路设计建议

Hi3716M 内部集成了32 位宽的DDR2//DDR3 兼容接口控制器。

3.2.1 DDR2 接口设计

DDR2 SDRAM 容量要求为256MB 时,DDR2 接口推荐外接2 片

16bit 数据位宽的DDR2 SDRAM

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