转载:http://blog.csdn.net/mcu_hong/article/details/8675004
参照《RealView MDK 下ARM 程序在RAM 中调试的方法》(杨广京
中科院自动化所)文章,实验在RAM中调试程序,以便设置多个断点和延长FLash寿命。步骤如下:
1、修改IROM1(0x40000000,0x2000) 和IRAM1(0x40002000,0x2000)地址空间
2、设置硬件仿真器的初始化文件RAM.ini,其下的Load application at start 一定不要选中:
FUNC void Setup (void) {
PC = 0x40000000;
}
Setup(); // Setup for Download
LOAD gpio.axf INCREMENTAL // Download
g, main
3、修改startup.s 选项,选择“options for file’startup.s’”再选择“asm”页,在define
中填入“RAM_MODE”和“REMAP”
尝试用外部RAM调试,没有成功,过程为:
1、修改ROM1(0x80000000,0x70000) 和RAM1(0x80070000,0x10000)地址空间
2、设置硬件仿真器的初始化文件RAM.ini,其下的Load application at start 一定不要选中:
FUNC void Setup (void) {
PC = 0x80000000;
}
Setup(); // Setup for Download
LOAD gpio.axf INCREMENTAL // Download
g, main
3、修改startup.s 选项,选择“options for file’startup.s’”再选择“asm”页,在define
中填入“EXTMEM_MODE”和“REMAP”
4、boot_sel(jp7)跳线改为outside
5、在startup.s配置EMC为bank0,其他参数默认memory width 为16/8bit都不行
现象:反汇编时从0x80000000开始的地址代码都是ff。
估计可能是在startup.s配置EMC的某些参数与外部SRAM不匹配,数据没有写入SRAM中,以后有时间可以按照ADS中的实例来调整。