光耦驱动单向可控硅_隔离开关电源继电器ssr输出限流电阻,逻辑性光耦驱动单向可控硅电路...

隔离开关电源继电器ssr输出限流电阻

深圳市克里雅半导体有限公司位于广东省深圳市龙华区，主要从事芯片研发和封装。产品包括：发光二极管、植物LED灯、照明LED、光电耦合器、MOSFET场效应三极管、磁簧继电器等等光电半导体产品。克里雅秉承“合作、勤奋、务实”的理念，“客户至上”的原则，共创克里雅的新纪元。

SSR的电子式触点一般有两种方案来实现，一种方案是利用双向可控硅Triac，另一种方案是利用NMOS。双向可控硅用在交流回路中，NMOS用在直流回路中。所以，在选择固态继电器时一定要高清楚是用来控直流回来还是交流回路。在控交流的时候，还要搞清楚是不是要过零检测。2.根据负载容量选择固态继电器跟选择机械式继电器一样，都需要考虑负载容量。实现固态继电器触点的NMOS或者Triac都有很大耐压参数和很大电流参数。为了提高产品的使用寿命，在选型时都要留有一定的余量，至少留有30%-50%的余量。

高速光电耦合器工作原理及应用领域什么是高速光电耦合器和光电耦合器一样，它将发光二极管和光敏三极管组装在一起并利用光信号来传递信息，实现电路信号的电->光->电的传输(光电耦合电路)，这样的目的是为了电路的输入与电气上处于完全隔离的状态，实现输入输出部分的电气隔离，提高其抗干扰能力和可靠性及稳定性，这种信息传递方式优于所有采用变压器和继电器作隔离来进行信号传递的一般解决方案，但是它的优势在于高速，也就是信号的传输速度快，在对信号的传输有速度要求的设计中是很常用的。

这个电路的特点是，一旦报警器工作，即使将抽屉关上，遮光片遮断光路，但双向可控仍然导通，报警电路仍一直报警，即使小盗发现光遮断器，将它破坏，但报警电路还工作。按一下开关K断开Vdd才能使报警电路不工作。这里VCC的地与Vdd的地不共地，图中用两种地的符号表示。由于光遮断器有多种型号，要求发光二极管的工作电流IF各不相同，必要时要调整R1的大小，使其满足IF的要求。

深圳克里雅产品产品广泛应用于医器械及测试仪器、电力工厂设备、通信设备、汽车电子，工业电源与其它消费类电子产品等。

5两种方案优劣分析方案2由于只有下管采取光耦A316J，比方案1电路更为简洁，也使电流保护调节变得更为简单，所以实际应用中推荐使用方案2。采用光耦A316J作电流保护用，虽然电路变得简单、可靠，但与传统的过流保护电路一样，仍然无法解决电流保护点比较确定的问题：传统的过流保护电路，大都采用RC滤波的方式作电流检测输入，有可能在滤波电容C上的电荷在此PWM周期未放掉完，下一周期PWM又开通，于是电流又上升，检测到的电流信号又会继续给滤波电容C充电，即相当于保护延时变短，则保护点就会降低。

通常光耦与TL431一起使用。下面是led电源驱动芯片(开关电源芯片)的部分电路。两电阻串联取样到431R端与内部比较器进行比较。然后根据比出的信号再控制431K端(阳极接光耦那一端)对地的电阻，然后达到控制光耦内部发光二极管的亮度。(光耦内部一边是一发光二极管，一边是一光敏三极管)通过发光的强度。控制另一端三极管的CE端的电阻也就是改变了led电源驱动芯片(开关电源芯片)检测脚的电流(1脚：电压反馈引脚，通过连接光耦到地来调整占控比)。根据电流的大小，led电源驱动芯片(开关电源芯片)就会自动调整输出信号的占空比，达到稳压的目的。

几种常见的实用控制电路1.带自锁功能的光控继电路带自锁功能的光控继电器如图2所示。这例电路由于采用了达林顿型光敏晶体管，从而简化了放大电路，仅用一只晶体管VT，便可驱动继电器动作。K吸合，其触点相继闭合，实现了继电器光控自锁功能。按一下SB，K失电断开。2.达林顿型光敏晶体管运算放大器控制电路图1电路采用达林顿型光敏晶体管VTP和μA741运算放大器，在很微弱的光线下，可以使继电器K动作。本电路为亮触发。

深圳克里雅将秉承“智能传感、智慧生活”的使命，以“成为光电传感器行业领导者”为愿景，立足于品质管控、精细化管理，规模化、自动化生产，以市场需求为导向，以全面高的效率技术服务为宗旨，以科技研发为动力，依托业内领先的技术优势与丰富的生产实践经验，推进高品质和低成本的精品战略，加大科研投入，加强与国内外大学和研究院所开展学术交流、项目合作和人才互通，加强原有传感器产品研究，深化产品品质，丰富产品性能，利用现有技术开发新型传感器产品，进一步拓展产品范围，巩固公司在光电传感器行业领先地位，保障公司持续稳定健康长远发展，力争跻身领先传感器制造企业，为下游电子产业的稳定发展提供有力的支持。

4注意事项在两种方案电路中，均要关注：(1)负载问题：在图3中，如果负载为电感性负载，则由于续流是通过二极管回路进行，即电流下降梯度非常慢，假使在下一周期只要一打开IGBT，光耦马上检测到过流信号，在不大于3μs内实施对IGBT实施软关断，即在一个PWM周期内，IGBT很小导通时间为此延时时间。假定在此段时间内电流的增加多于下降，则会随着导通时间的加长，电流越来越大，超越IGBT的承受能力，造成IGBT损坏，这一点在应用中必须注意；

逻辑性光耦驱动单向可控硅电路