本文详细探讨了半导体的接触现象，包括半导体与金属间的肖特基结和欧姆接触，半导体与半导体之间的同质结和异质结，以及半导体与介质材料的接触。当外电场作用于半导体时，会导致空间电荷的重新分布，形成空间电场，对表面层电子的电势和势能产生影响，进而改变能带状况。
67
第七章
半导体的接触现象
半导体的接触现象主要有半导体与金属之间的接触
(肖特基结和欧姆接触)
、
半导体与半导体之间的接触
(同质结和异质结)
及半导体与介质材料之间的接触。
§
7-1
外电场中的半导体
无外加电场时，均匀掺杂的半导体中的空间电荷处处等于零。当施加外电场
时，在半导体中引起载流子的重新分布，从而产生密度为
)
(
r
的空间电荷和强
度为
)
(
r
的电场。载流子的重新分布只发生在半导体的表面层附近，空间电荷
将对外电场起屏蔽作用。
图
7-1a
表示对
n
型半导体施加外电场时的电路图。
在图中所示情况下，
半导
体表面层的电子密度增大而空穴密度减小
(见图
7-1b
、
c
)
，
从而产生负空间电荷。
这些空间电荷随着离开样品表面的距离的增加而减少。空间电荷形成空间电场
s
，在半导体表面
s
达到最大值
0
s
(见图
7-1d
)
。空间电场的存在将改变表面
层电子的电势和势能(见图
7-1e
、
f
)
，从而改变样品表面层的能带状况(见图
7-1g
)
。
电子势能的变化量为
)
(
)
(
r
eV
r
U
，其中
)
(
r
V
是空间电场(也称表面层电
场)的静电势。此时样品的能带变化为
)
(
)
(
r
U
E
r
E
c
c
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