探测器反向偏压_探测器的相关概念

高能射线穿过固态探测器时与介质晶体之间的相互作用是通过弹

性散射、

光电吸收、

康普顿散射以及附生电子

-

正电子对四种机制进

行的。其中，光电吸收和康普顿散射是较为主要的过程。在这个过

程中，入射光子的能量被介质材料中原子的外层电子所吸收，获得

能量后的电子由满带跃迁到导带，在导带上产生额外的电子，在满

带上留下空穴。与此同时，该电子还通过康普顿效应与半导体晶格

发生相互作用，将能量传递给后者。上述过程会产生大量的电子一

空穴对。如果此时在介质晶体两端加上足够高的外电场，那么这些

载流子将分别向两电极漂移，

从而在探测器电极上形成一个脉冲电

流。

该电流经前置放大器放大后产生一个高度与探测器电流的时间积分成正比的输出电压脉冲。

此电压脉冲通过成形

放大器转换为高斯脉冲，进一步放大成形，在过滤掉背景噪声后，使信一噪比达到最高，然后将其输入多道脉冲

幅度分析仪，由其记录在每个道数

(

道数表示脉冲的高度

)

上所测量到的脉冲数量并分别以数据和图谱的形式呈现

出来。

由于射线的能量与所产生的载流子数量成正比，

而探测器内电流的时间积分又正比于载流子的数量，

因此

前置放大器产生的电压脉冲正比于入射射线的能量。最后多道分析仪给出的数据和图谱就表示了射线的能谱。

(l)

原子序数高：

提高辐射粒子与探测材料原子之间相互作用的效果。

光电效应截面大小与

γ

射线能量和吸收物质的原子序数有关。

粗略地

讲，

随光子能量增大而减小，

随

Z

的增大而增大。

可由量子力学计算

公式得到。

(2)

禁带宽度大：控制热生电流。可探测到高能射线，提高高能射线

分辨率。并获得电阻高，漏电流低，从而降低探测器工作时的噪音

(3)

高电阻率：高的电阻率可以使得探测器在高电压下具有低的漏电

流，这对于降低探测器工作噪声，提高能量分辨率。

(4)

较高的本征

μ

τ

值

(

μ

载流子迁移率

,

τ

载流子寿命

)

。

载流子的漂移

程是由载流子迁移率、

载流子寿命以及应用电场的乘积所决定的。

载

流子在被材料中的缺陷俘获中心俘获前的平均寿命与材料的不完整

性密切相关。

而载流子的收集效率则取决于单位时间内光生载流子漂

移程与介质材料厚度的比例大小。

理想情况下，

载流子漂移程应该远

远大于介质材料的厚度，这样方能保证对载流子有一个完全的收集。

(5)

能够制备出大体积的高纯度、

低缺陷均匀材料。

这是因为，

大的探

测体积有利于接受更多的入射光子，

这将显著提高探测器的灵敏度和

收集效率，缩短响应时间，从而提高探测效率。而高的纯度，好的均

匀性以及低的缺陷密度能够带来低的漏电流，优良的载流子传输特

性，同时能够避免在探测器两极间产生短路。

(6)

易于在材料表面制备无极化效应的欧姆接触或肖特基势垒接触电极。满足该条件的探测器能耐承受高的反向

偏压，漏电流小且正向电阻也小。

通常认为，

Zn

的掺入量决定了本征

Cd1-xZnxTe

晶体的电阻率和禁带

宽度，即

Zn

的掺入量越高，晶体的电阻率越高，禁带宽度越大。因

此，前人一般倾向于选择高的

x

值

( x

= 0.1-0.2)

来生长晶体，但是大

的

x

值会使晶体的熔点升高，

加大了晶体生长的难度，

影响了所获得

的晶体的质量，晶体偏离了本征态。在熔体法生长

CdZnTe

晶体时，

随

Zn

含量的增加，熔点会提高，在熔点温度下，晶体内各组元，尤

其是镉具有较高的平衡蒸汽压，一部分

Cd

从熔体中挥发，在晶体中

产生大量的镉空位，

并使富余的

T

碲析出形成碲沉淀相，

破坏了晶体

的化学计量比。

Cd

空位具有受主特性，相当于在晶体中掺杂，因而

显著提高晶体内载流子浓度，从而降低了电阻率。

沉淀的碲颗粒作为微观散射中心，

对在晶体中转播的光有强的散射作用，

从而极大程度地降低晶体的红外透过率。