探测器反向偏压_辐射防护与安全机考难点考点解析半导体探测器

点击上方蓝字“辐射防护与安全机考”关注我

辐射防护与安全机考公益号，免费给大家考点难点讲解，欢迎关注

没有学不会得到考生      只有不会教的老师  

欢迎全国辐射防护机考的学员来到我的电离辐射讲堂，照例今天正文之前先放几个真题。不忘初心，知识无法造假。

单：废旧金属回收熔炼企业送储放射源或者被污染的物质产生费用，由()承担。

A　送交的单位和个人

B　废旧金属回收熔炼企业

C　废弃放射源或者被污染物质原持有方或者提供者

D　发现放射源或者被污染物质单位和个人

多：α粒子与物质相互作用，正确()

A　α粒子射到物质上，主要通过电离和激发与核外电子发生作用

B 　α粒子质量数4，带2个单位正电，比较重的带电粒子

C 　电离能量损失是α粒子与物质相互作用损失能量主要形式

D　电离外层轨道电子

E　α粒子传递给轨道电子的能力足够多，使得轨道电子变成自由电子

今天继续半导体探测器的讲解：

PN结(pn junction)

结合前，N区的电子比P区多，P区的空穴比N区多。

结合后，电子由N区向P区扩散与空穴复合；空穴由P区向N区扩散与电子复合。扩散的结果形成PN结。

在PN结区，电子空穴很少，剩下的杂质正负离子形成空间电荷区，其内建电场方向由N区指向P区，阻止电子、空穴继续扩散，并造成少数载流子的反向漂移运动。当扩散运动和反向漂移运动达到平衡时，P区或N区的电子空穴浓度就不再变化。

这个由不可移动的杂质离子组成的空间电荷区，即PN结区，对电导率没有贡献，而载流子的密度非常低，亦称耗尽区，阻挡层，势垒区。

半导体PN结可作为灵敏区

1)在PN结区可移动的载流子基本被耗尽，只留下电离了的正负电中心，对电导率无贡献，其具有很高的电阻率。

2)PN结加上一定负偏压，耗尽区扩展，可达全耗尽，死层极薄，外加电压几乎全部加到PN结上，形成很高电场。

3)漏电流很小，有很好的信噪比。

4)当有带电粒子通过时，产生的电子-空穴对，在强电场的作用下，很快地迁移出耗尽区，在电极上产生信号。

PN结的偏压特性

当PN结不加偏压时，能起到一定的探测器作用，但性能很差自发形成的电场低，不利于收集；耗尽区薄，信噪比差

当PN结加正向偏压时，加很低的电压，也会有很大的电流，信号将被淹没，无法作为探测器

加反向电压，N区接正， P区接负，外加电场方向与内建电场方向相同，使耗尽层增厚，漂移运动增强。当带电粒子穿过时产生电子－空穴对，在高电场下分别向正负电极漂移，产生信号。信号幅度正比于电子空穴对数目，正比于入射粒子损失能量。所以加反向偏压的PN结就是结型半导体探测器的灵敏区。

探测器核心参数解释：探测效率，能量分辨率，死时间(时间分辨率)

绝对探测效率是指，在一定探测条件下测到的电离辐射粒子数，与在同一时间间隔内由辐射源发射出的该种粒子总数的比值。闪烁体与半导体探测效率较高，气体效率低。

本征探测效率     探测到的粒子数与进入灵敏体积内的粒子数的比值

相对探测效率    相对碘化钠探测器的对比探测效率。

能量分辨率是指，针对两种不同能量的入射粒子，探测器所能够测定最小的能量间隔。半导体最高，气体次之，闪烁体最低。

死时间的产生是由于探测器对脉冲的响应时间大于荧光仪的计数脉冲发射时间,造成的计数阻塞和计数丢失。

半导体探测器，未完待续！！！

我不做知识的复制者，我是知识的实践者。

点击下方“在看”，谢谢，每日跟新第一时间送上。