探测器反向偏压_科普向 | 光电探测器

最新推荐文章于 2021-01-01 21:16:58 发布

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文章标签：探测器反向偏压

本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_36216477/article/details/112237712

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本文详细介绍了光电探测器的四种主要类型：光电导型、PN结型、PIN结型和APD雪崩光电二极管，探讨了它们的工作原理、特点和优势。光电导型具有高增益，但响应速度慢；PN结型和PIN结型响应速度较快，APD则具有最快响应速度。此外，还提到了肖特基结型探测器的高速响应特性。文章还涵盖了光电探测器的基本参数，如响应度、外量子效率、增益、比探测率和瞬态响应时间等。

摘要由CSDN通过智能技术生成

光电探测器器件结构种类

(1)光电导型光电探测器

某些半导体在光照条件发生本征吸收或杂质吸收，吸收光子能量后电导率发生改变，这种物理现象叫做光电导效应。

光电导器件在光照条件下，产生的光生载流子使得器件的电导率升高，电阻变小。室温激发的载流子在电场的作用下发生定向移动，从而产生电流，在光照条件下电子受到激发，发生跃迁，同时也会在电场的作用下漂移形成了光电流。产生的光生载流子使得器件的电导率升高，从而电阻变小。光电导型的光电探测器在性能上通常会表现出高增益，响应度很大，但无法响应高频的光信号，因而响应速度较慢，在某些方面限制了光电导型器件的应用。

(2)PN结型光电探测器

PN结是P型半导体材料与N型半导体材料接触形成的，形成接触之前两种材料是处于分离状态，P型半导体中的费米能级的位置靠近价带边缘，N型半导体中费米能级靠近导带边缘，当两种类型的材料接触形成PN结时，位于价带边缘P型材料的费米能级将会不断上移，与此同时，位于导带边缘 N 型材料的费米能级不断下移，直到两种材料的费米能级在同一位置为止。导带和价带位置的变化，也同时伴随着能带的弯曲。此时PN结处于平衡状态，且有统一的费米能级。从载流子的方面分析，P型材料中多数载流子为空穴，N 型材料中多数载流子是电子，当两种材料接触时，由于载流子浓度差，N型材料中的电子会向P型中扩散，而N型材料的电子向着与空穴相反的方向扩散，电子和空穴扩散之后留下未被补偿的区域则形成一个内建电场，而内建电场又会趋势载流子漂移，漂移的方向与扩散的方向刚好相反，意味着内建电场的形成阻止了载流子的扩散，PN结内部同时存在着扩散和漂移，直至两种运动平衡为止，使静载流子流为零，内部达到动态平衡。

当PN结受到光辐射之后，光子的能量传递给载流子，产生光生载流子即光生电子-空穴对，在电场的作用下，电子和空穴分别向N区和 P区漂移，光生载流子的定向漂移现象产生光电流。这也就是PN结光电探测器的基本原理。

(3)PIN结型光电探测器

PIN 结光电二极管是在P型材料和N型材料之间加入I层，I层的材料一般是本征或低掺杂的材料。其工作机理与PN结类似，当PIN结受到光辐射后，光子将能量传递给电子，产生光生载流子，而内建电场或外部的电场会将耗尽层的光生电子-空穴对分开