hx711压力传感器工作原理_半导体压力传感器原理及结构

　　半导体压力传感器原理

　　半导体压力传感器可分为两类，一类是根据半导体PN结(或肖特基结)在应力作用下，I-υ特性发生变化的原理制成的各种压敏二极管或晶体管。这种压力敏感元件的性能很不稳定，未得到很大的发展。另一类是根据半导体压阻效应构成的传感器，这是半导体压力传感器的主要品种。早期大多是将半导体应变片粘贴在弹性元件上，制成各种应力和应变的测量仪器。60年代，随着半导体集成电路技术的发展，出现了由扩散电阻作为压阻元件的半导体压力传感器。这种压力传感器结构简单可靠，没有相对运动部件，传感器的压力敏感元件和弹性元件合为一体，免除了机械滞后和蠕变，提高了传感器的性能。

　　半导体的压阻效应 　半导体具有一种与外力有关的特性，即电阻率(以符号ρ 表示)随所承受的应力而改变，称为压阻效应。单位应力作用下所产生的电阻率的相对变化，称为压阻系数，以符号π表示。以数学式表示为 墹ρ/ρ=πσ

　　式中σ 表示应力。半导体电阻承受应力时所产生的电阻值的变化(墹R/R)，主要由电阻率的变化所决定，所以上述压阻效应的表达式也可写成 墹R/R=πσ

　　在外力作用下，半导体晶体中产生一定的应力(σ)和应变(ε)，它们之间的相互关系，由材料的杨氏模量(Y)决定，即 Y=σ/ε

　　若以半导体所承受的应变来表示压阻效应，则是 墹R/R=Gε

　　G 称为压力传感器的灵敏因子，它表示在单位应变下所产生的电阻值的相对变化。

　　压阻系数或灵敏因子是半导体压阻效应的基本物理参数。它们之间的关系正如应力与应变之间的关系一样，由材料的杨氏模量决定，即 G=πY

　　由于半导体晶体在弹性上各向异性࿰