eeprom stm8l 擦除 读写_STM8L探索套件学习笔记-EEPROM(十一)

原标题：STM8L探索套件学习笔记-EEPROM(十一)

上节将到官方例程使用 EEPROM存储外围电路消耗的电流值，今天我们对 STM8L的EEPROM介绍下。STM8L带有的32K的FLASH和1K的EEPROM都可以编程和擦除，编程模式有1、字节byte，2、字word，3、BLO CK和4、编程和擦写完中断。

由于默认是锁定的，所以对FLASH和EEPROM编程首先要解锁，解锁的方式是写如寄存器特定值，0X56 0XAE。在IAR编译器当中，__eeprom 用于EEPROM 存储空间, 控制数据存放，控制指针类型和存放。@用于变量的绝对地址定位。也可以用#pragma location 命令。

EEPROM 区域数据存储：

用关键字 __eeprom 控制来存放， __eeprom关键字写在数据类型前后效果一样。

__eeprom unsigned char a;//定义一个变量存放在EEPROM空间

unsigned char __eeprom a;//效果同上

__eeprom unsigned char p[];//定义一个数组存放在EEPROM空间

对于EEPROM空间的变量操作同SRAM数据空间的操作方法一样，编译器会自动

调用 __EEPUT(ADR,VAL)， __EEGET(VAR, ADR)宏函数来对EEPROM变量的

操作。

EEPROM空间绝对地址定位：

__eeprom unsigned char a @ 0x8;//定义一个变量存放在EEPROM空间

0X08单元

__eeprom unsigned char p[] @ 0x22//定义一个数组存放在EEPROM空间，<