EEPROM的最小擦除单元居然不是字节，而是页！

如果EEPROM的最小擦除单位是字节，那为什么还不能跨页写？

实际上，EEPROM的擦除操作通常是按页面进行的，而不是按字节进行的。虽然EEPROM支持按字节进行编程操作（1->0），但擦除操作（0->1）通常需要按页面进行。下面我将详细解释这一点。

EEPROM的擦除和编程特性
编程操作：编程是指将比特位从1变为0的操作。在EEPROM中，编程是通过改变晶体管的阈值电压来实现的。当晶体管被编程时，其阈值电压升高，使得晶体管在较低的电压下保持关闭状态，表示0状态。
擦除操作：擦除是指将比特位从0变为1的操作。擦除操作通常涉及较高的电压，目的是降低晶体管的阈值电压，使其在较低的电压下导通，表示1状态。擦除操作通常需要按页面进行。

EEPROM的页面结构

EEPROM被划分为多个页面，每个页面都有固定的大小。一个页面内的所有位必须同时擦除，但可以单独编程，这其实与Flash擦写方式类似。

跨页写的缺点

数据保护：如果允许跨页写入，那么在一个页面的部分数据写入过程中可能会中断，导致数据不一致或损坏。为了避免这种情况，通常要求写入操作发生在同一个页面内。
性能考虑：即使技术上可能实现跨页写入，这也可能导致效率降低，因为每次写入后可能需要检查并修正数据完整性。

总结

如果需要写入的数据都在同个页面，那么只需发起一次IIC通讯即可，若超过页范围，则超出的数据将覆盖至页首；而需要写入的数据在两个连续的页面，则需发起两次IIC通讯，写完第一个页的数据再写第二个页的数据。
在EEPROM内部，逻辑单元会从EEPROM中读取该页的数据复制至数据缓冲区（一般与页大小相同），然后与待写入的数据合并，擦除整页后将完整的页面数据写回到EEPROM中。