通过mtd读写flash_flash的读写与擦除

对于flash的认识，比较肤浅，在网上找了些资料，感谢 http://blog.csdn.net/lin364812726/article/details/18815395  的博主，

将其博文转载过来，以便以后查看。

flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。

flash按照内部存储结构不同，分为两种：nor flash和nand flash。

(1)nor flash：像访问SDRAM一样，按照数据/地址总线直接访问, 可写的次数较少，速度也慢，由于其读时序类似于SRAM，读地址是线性结构，多用于程序代码的存储.

(2)nand flash：只有8位/16位/32位甚至更多位宽的总线，每次访问，都要将长地址分为几部分，一点点的分步传入才能访问nand flash。Nand Flash相比其余的几种flash优势在于可擦写次数多，擦写速度快，但是在使用以及使用过程中会出现坏块因此需要做特殊处理才可以使用。其主要用于数据存储，大部分U盘都是Nand Flash。

Nand和Nor的使用寿命，块擦除的速度，数据存储的出错几率等，都有很大区别。

任何 flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。

由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s ，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行