matlab 光强分布,一种LED光强分布测量装置的设计及Matlab拟合

第４０卷　第６期２０１２年１１月 河南师范大学学报(自然科学版) Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｈｅｎａｎ Ｎｏｒｍａｌ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ( Ｎａｔｕｒａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｅｄｉｔｉｏｎ ) Ｖｏｌ ．４０　 Ｎｏ ．６ Ｎｏｖ ．２０１２ 　　文章编号：１０００－２３６７(２０１２)０６－００６３－０４ 一种ＬＥＤ光强分布测量装置的设计及 Ｍａｔｌａｂ拟合 王　超，田　昊，李　浩，程　琦，闫　磊，贾建业 (北京林业大学 工学院，北京１０００８３) 摘　要：应用光敏电阻的相关特性，设计了一种新型发光二极管光强分布的测量装置．通过该装置对多种不同参数，不同发光颜色的发光二极管进行测量，并基于 Ｍａｔｌａｂ对测量结果高次拟合，模拟了多组发光二极管的光强分布曲线，结果较为准确．该装置成本低，体积小，环境适应性强，测量过程简单，具有广阔的发展前景．关键词：ＬＥＤ；光强分布；测量装置；Ｍａｔｌａｂ拟合 中图分类号：ＴＮ３１２ 文献标志码： Ａ 发光二极管(ＬＥＤ)是一种应用十分广泛的电致发光器件，以其亮度高、功耗低、寿命长、可靠性高、环保等优势将成为最佳的发光源之一［ １］．随着ＬＥＤ照明光源的应用，如何提高ＬＥＤ 的发光效率，以及尽量将光线集中到有用的区域，使其满足一定的光强分布成为大家关心的问题．要解决这些问题就必须对ＬＥＤ的光强分布做一定的分析研究［ ２］．从理论上讲测量其发光强 度及其光强分布并不困难［ １］，但是由于一般发光二极管功率比较小，其发光强度较低，通过用照度计测定照度来确定发光强度在实际中并不容易，误差也较大．这是由于一般可见光发光二极管发光强度只有几毫坎德拉至几坎德拉，如果我们在距离其几十厘米处测量，用普通照度计测量其灵敏度明显偏低［ ３］． １　理论分析 １．１　ＬＥＤ发光原理 ＬＥＤ的结构如图１所示．发光二极管是由Ⅲ－Ⅳ族化合物，如 ＧａＡｓ(砷化镓)、ＧａＰ(磷化镓)、ＧａＡｓＰ(磷砷化镓)等半导体制成的，在一定条件下，它具有发光特性．在正向电压下，电子由 Ｎ 区注入 Ｐ区，空穴由 Ｐ区注入 Ｎ 区．进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光． 假设发光是在Ｐ区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光．除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光．发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高．由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近ＰＮ结面数微米以内产生． 理论和实践证明，光的峰值波长 λ 与发光区域的半导体材料禁带宽度 Ｅｇ 有关，即 λ ≈１　２４０ｎｍ·ｅＶ／ Ｅｇ ．若能产生可见 光(波长在３８０～７８０ｎｍ)，半导体材料的 Ｅｇ 应在３．２６～１．６３ｅＶ之间．比红光波长长的光为红外光．现在已有红外、红、黄、绿 及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍． １．２　光敏电阻特性分析 光敏电阻器是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器；入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大．光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换(将光的变化转换为电的变化)．常用的光敏电阻器硫化镉光敏电阻器，它是由半导体材料制成的．光敏电阻器的阻值随入射光线(可见光)的强弱变化而变化，在黑暗条件下，它的阻值(暗阻)可达１～１０ＭΩ，在强光条件(１００ｌｍ)下，它阻值(亮阻)仅有几百至几千欧．光敏电阻器的光谱相应特性很宽，无