如何计算_如何计算partial charge？

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Partial charge可以很方便地输出每一条能带上每一个波矢所对应的电荷密度，有利于我们更深层次得理解体系的电子结构性质。下面将介绍如何利用第一性原理软件VASP去计算体系的partial charge。

计算partial charge要用到以下几个开关：

LPARD，该开关有两个取值，T和F。T代表计算partial charge。如果仅仅只设置LPARD，那么总的电荷密度就会被写入CHGCAR

IBAND，用于指定需要计算partial charge的能带。例如设置IBAND= 20 21 22 23，那么VASP就会计算从第20到第23四条带的电荷密度

EINT，用于指定需要计算partial charge的能带的能量范围，一般设置为两个实数。如果只设置一个实数，那么第二个实数默认为费米能（也就是说计算从指定的能量值到费米能之间能带的partial charge）；如果EINT设置了，但NBMOD没设置，那么VASP会自动将NBMOD设置为-2

NBMOD，设置为整数，如果NBMOD>0，那么该值就是IBAND对应带的数目，如果IBAND已经设置了，NBMOD也会被调整成语IBAND相应的值；如果NBMOD=0，那么VASP会计算所有能带的电荷密度（包括被填充的和未被填充的）；如果NBMOD=-1，那么VASP会计算总的电荷密度，-1是NBMOD的默认值；如果NBMOD=-2，那么VASP会计算EINT指定的能量区间的partial charge；NBMOD=-3和-2基本相同，差别仅在于能量区间取到了EINT设置的值和费米能之间

KPUSE，用于指定计算partial charge的k点，例如设置KPUSE= 12 3 4，VASP将计算前四个k点的partial charge

LSEPB，设置为T表明分开计算每条带的电荷密度，并将其输出到文件PARCHG.nb.⋆；如果设置为F，vasp会将选中的带的电荷密度合并到一个文件PARCHG.ALLB.⋆或者PARCHG进行输出

LSEPK，设置为T表明分开计算每个k点的电荷密度，并将其输出到文件

计算时，首先进行一次一般的静态自洽，INCAR的设置如下：

SYSTEM=XXX

ISTART=0

ICHARG=2

NSW=0

PREC=N

ENCUT=400

ISMEAR=0

SIGMA=0.01

EDIFF=0.1E-04

静态自洽结束后，然后加上上面给出的开关再跑一次，这里给出一个INCAR设置的实例：

SYSTEM=XXX

ISTART=1

ICHARG=1

NSW=0

PREC=N

ENCUT=400

ISMEAR=0

SIGMA=0.01

EDIFF=0.1E-04

LPARD=T

IBAND=568 569 570

LSEPB=T

运行结束后会出现三个文件，因为在这里我设置IBAND=568 569 570，所以后面会出现PARCHG.0568.ALLK、PARCHG.0569.ALLK、PARCHG.0570.ALLK三个文件，将其改名成vesta可以识别的文件，例如CHGCAR568、CHGCAR569、CHGCAR570，然后将这三个文件拖进vesta中去。

最后，需要说的是，在vesta中可以选择Objects→Properties→Isosurfaces在其中选中电荷密度等值面（见下图），然后在Isosurface level中通过调整等值面的值来调整图中partial charge的形状。

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