4个mos管驱动的全桥电路原理_H桥驱动电路设计与原理

驱动电路中通常要用硬件电路当地控制开关，电机驱动板主要采用两种驱动芯片，一种是全桥驱动HIP4082，一种是半桥驱动IR2104，半桥电路是两个MOS管组成的振荡，全桥电路是四个MOS管组成的振荡。其中，IR2104型半桥驱动芯片或者（EG2104）能够驱动高端和低端两个N沟道MOSFET，能提供较大的栅极驱动电流，并具有硬件死区、硬件防同臂导通等功用。运用两片IR2104（EG2104）型半桥驱动芯片能够组成完好的直流电机H桥式驱动电路,相比来讲EG2104的死驱时间更短，更加廉价。详情可以去看他的datasheet另外，由于驱动电路可能会产生较大的回灌电流，为避免对单片机产生影响，最好用隔离芯片隔离，隔离芯片选取有很多方式，如lvc245等，这些芯片常做控制总线驱动器，满足一定条件后，输出与输入相同，可停止数据单向传输，即单片机信号能够到驱动芯片，反过来不行。

下面就让我们来分析一下这个H桥驱动电路中各个电子元件的作用：

（1）首先驱动芯片旁边的电容为旁路电容，一般选用钽电容，先来介绍一下钽电容的特点所在吧。钽电容的特点是寿命长、耐高温、准确度高、滤高频改波性能极好。一般可以耐很高的温度和电压，常用于高频滤波。贴片电容容量较小、价格也贵，而且耐电压及电流能力相对较弱。

（2）电容C1和二级管D1相连，构成电荷泵。电容C1的A端通过二极管D1接12V，电容C1的B端接VBAT。当B点电位为0时，D1导通，12V开始对电容C1充电，直到节点A的电位达到12V；当B点电位上升至高电平VBAT时，因为电容两端电压不能突变，此时A点电位上升为12V+VBAT。所以，A点的电压就是一个方波，最大值是12V+VBAT，最小值是12V(假设二极管为理想二极管)。A点的方波经过简单的整流滤波，可提供高于12V的电压，在驱动控制电路中，H桥由4个N沟道功率MOSFET组成。若要控制各个MOSFET，各MOSFET的门极电压必须足够高于栅极电压。通常要使MOSFET完全可靠导通，其门极电压一般在10 V以上，即VCS＞10 V。对于H桥下桥臂，直接施加10 V以上的电压即可使其导通；而对于上桥臂的2个MOSFET，要使VGS>10 V，就必须满足VG>Vm+10 V，即驱动电路必须能提供高于电源电压的电压，这就要求驱动电路中增设升压电路，提供高于栅极10 V的电压。考虑到VGS有上限要求，一般MOSFET导通时VGS为10 V～15 V，也就是控制门极电压随栅极电压的变化而变化，即为浮动栅驱动。因此在驱动控制电路中设计电荷泵电路，用于提供高于Vm的电压Vh，驱动功率管的导通。

（3）电阻R3的作用是不让G极悬空，可以做一个简单的实验:找一个mos管,让它的G悬空,然后在DS上加电压,结果是在输入电压才几十V的时候,管子就烧掉了,因为管子导通了. mos管在没有加驱动信号的前提下会导通,那是因为管子的DG,GS之间分别有结电容,Cdg和Cgs.所以加在DS之间电压会通过Cdg给Cgs充电,这样G极的电压就会抬高直到mos管导通。

（4）mos管两端并联的二极管一种说法是起续流作用，可以加快场效应管的关断速度，也有说是保护作用的，电机在反转时会产生很强的反向电动势，会毁坏元器件，起到卸荷的作用。还有说是起钳位的作用，由两个二极管反向串联组成，两个二极管首尾连接部位是受保护的节点。以1N5819为例，当该点的电压＞VBAT+0.2V时候，D2导通；而当该点电压＜-0.2V时，D1导通。因此，该点电压被钳位在-0.2V与VBAT+0.2V 之间。

（5）PWM调速控制的基本原理是按一个固定频率来接通和断开电源，并根据需要改变一个周期内接通和断开的时间比(占空比)来改变直流电机电枢上电压的""占空比""，从而改变平均电压，控制电机的转速。在脉宽调速系统中，当电机通电时其速度增加，电机断电时其速度减低。只要按照一定的规律改变通、断电的时间，即可控制电机转速。而且采用PWM技术构成的无级调速系统．启停时对直流系统无冲击，并且具有启动功耗小、运行稳定的特点。