nand flash和nor flash区别_NAND 闪存概述

一、NAND 闪存基本单元

1. NAND 单元结构

 最流行的 Flash 存储器的存储方式是基于一种叫做： Floating Gate(FG)的技术，可以参考下面的横截图，一个 MOS 管是由两个重叠的门组成：第一个是完全被氧化物所包围； 而第二个则是被连接到外面。这个单独的门就相当于构成了一个电子隔离带，这样就保证存在里面的电子(数据)能够保留很多年。对这个被隔离起来的部分进行充电和放电的过程就叫做 program 和 erase。由于进行了充放电，所以这个隔离起来的部分内部的电势 Vth 就 会被改变；这就是一个典型的 MOS 管工作原理。当我们对一个存储单元施加上一个电压的 时候，我们就可以分别处两种情况：当我们施加的电压比 Vth 高的时候便被识别为“1”， 否则就被识别为“0”。

上面这么一段的描述，你一定还是没弄懂，这个图也是过于简略。

NAND 闪存内部存储结构单元是基于 MOSFET(金属-氧化层-半导体-场效应晶体管)， 与普通场效应晶体管的不同之处在于，在栅极(控制栅)与漏极/源极之间存在浮置栅，利用该浮置栅存储数据。

数据在NAND Flash闪存中是以电荷的形式存储的，存储的电荷的多少，取决于控制栅极所施加的电压，栅极及主板利用氧化膜进行了绝缘处理，一次积累的电荷可以保持长时间，但是，如果氧化膜存在缺陷，或者由于某种原因是绝缘膜遭到破坏，那么闪存将失去记忆。

另外热能会使电荷以某种概率发生消减，因此数据保存的时间还受到温度(辐射等)的影响。 闪存数据的写入和擦除是通过主板与控制栅之间电荷的诸如与释放来进行的。在写入方式上，NOR Flash采用的是热电子注入方式，通过在写入的时候提高控制栅的电压，通过源极向浮置栅注入电荷，电流从浮置栅极到源极；而 NAND Flash 闪存利用 F-N 隧道效应， 通过硅基层给浮置栅充电，电流从浮置栅极到硅基层。

隧道效应：

在讲隧道效应之前，我们先来看一个小实验。如图 10-1 所示，假设有一条像山坡一样高低起伏的滑道，滑道上有一个小球，二者之间没有任何摩擦力。如果我们让小球从 A 点出发滑落，而且出发时速度为零，那么小球最高能到达哪一点呢？

这太简单了，根据能量守恒定律，我们知道小球的势能会转化成动能，然后动能再转化成势能，最后会到达高度与 A 点相同的 B 点，如此往复运动。

如果我问你，这个小球会出现在 D 点吗？你一定会说，绝对不可能，因为 C 点是一座无法翻越的大山。或者说，C 点是一个能量很高的势垒，小球没有足够的能量来翻越它。

对于经典粒子来说，的确是这样的。但是，如果这条滑道缩小到原子尺度，而小球是一个电子的话，上述结论就不成立了。量子力学计算表明，从 A 点出发的电子有明显地出现在 D 点的概率，就像是从一条隧道中穿越过去的一样，这就是量子隧道效应，它是微观粒子波粒二象性的体现。

总结一下，如果微观粒子遇到一个能量势垒，即使粒子的能量小于势垒高度，它也有一定的概率穿越势垒，这种现象就叫隧道效应。隧道效应又称势垒贯穿，是一种很常见的量子效应。也就是说，崂山道士的故事在量子世界里是很平常的，一点都不稀奇。

当然，对于不同的情况，粒子在势垒外出现的概率大小是需要通过薛定谔方程仔细计算的。在一般情况下，只有当势垒宽度与微观粒子的德布罗意波长可比拟时，势垒贯穿的现象才能被显著观察到。如果势垒太高或太宽，隧穿的可能性就会变得很小。

所以在NAND FLASH的单元内部：

在没有外部的电压和温度变化的时候，势垒高且宽。电子是很难实现隧穿。

当外部电压变化时，或者温度变化时，此时隧穿就成为了大概率事件。

而数据的擦除都是利用 F-N 隧道效应放电，