声光调制器实验研究_【半导光电】硅光调制器的集成研究：电光集成与波分复用(CWDM)单片 集成调制器...

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【半导光电】硅光调制器的集成研究：电光集成与波分复用(CWDM)单片 集成调制器

近些年来科学界和产业界都投入了巨大的精力和财力在硅光子技术上，这些巨大的投入不断的推动了硅光子技术取得飞跃式的进步。如今的硅光子技术已经非常的成熟，不断地有成功的商业产品问世并占领数通、相干等光通信市场。这些进步包括在研发和商业化两个方面，并覆盖了工艺平台、芯片、器件和子系统等诸多领域。Intel和 IBM 等大公司将目光聚焦在超级计算机领域，在这个产品层面上可以发挥硅光子技术的最大优势光电单片集成。其中一个巨大的具有里程碑意义的进步是第一个单片集成光电 CPU 芯片，在这个单片集成的 CPU 内部信号之间通过硅光子器件直接进行光学通信其芯片结构和照片如图 4-1 所示。由此可以看到光电集成的巨大技术优势。

虽然国外在单片光电集成领域这一硅光技术的制高点上取得了令人瞩目的成绩，但是国内目前却远远落后于国外的进度。这主要是由两方面的原因造成的，首先是工艺平台的差距，由于国内硅光工艺平台刚刚起步不久，整体工艺水平和国际先进水平还存在较大的差距。其次单片光电集成技术对芯片的设计提出的非常高的要求，既需要对光芯片的设计进行精细优化又需要对电芯片进行一体化设计。这就要求科研人员既懂点芯片设计又懂光芯片设计，而国内在这方面的人才是非常欠缺的。 1. 通过打线方式混合集成的硅基可重构 PAM4 发射机基于硅光技术的国际发展前沿情况和国内的发展阶段，为了对未来单片光电芯片集成进行初步的探索并打下一定的基础，本部分介绍基于金丝打线的方式实现电光集成的技术方案和实验结果。本部分我们通过打线的方式将电驱动芯片和硅光调制器芯片混合集成在一起，电驱动芯片是一个基于 65nm CMOS 工艺的 4 通道 32Gb/s OOK或者 2 通道 25Gbaud/s PAM4 可重构结构。硅光调制器芯片基于 180nmCMOS 工艺加工并由两个分段驱动的调制器构成，其长度比例为 1:2。通过这种结构配置可以在两路电信号输出电压摆幅相同的情况下实现 PAM4 光信号的输出。图 4-2(a)中描述了混合集成概念的结构和配置，电芯片的两路分别各自对应打线到长度比例为 2：1 的分段驱动调制器电极上。如果两路调制器的长度相同，这在点芯片的两路同时输出为 OOK 信号时，在光调器的输出端可以得到一个调制的 OOK光眼图。如果两路调制器的长度为 1:2，则这时在硅光调制器的输出端会得到一个PAM4 的眼图输出。通过打线混合集成的硅光 PAM4 发射机芯片显微镜图如图 4-(2b)所示，在测试中我们通过光栅耦合器将光耦合进和耦合处发射机芯片。为了精细化的设计调制器和驱动器芯片，使得两者工作的模式完美匹配，需要对调制器的驱动电压相位传递函数和光强度随相位变化的关系进行仿真。基于 PAM4 分段调制器芯片的每毫米长度的调制器进行仿真，我们计算了其驱动电压和相位改变量的关系，其结果列于图 4-3(a)中。从图中可以看出在驱动电压摆幅在 4V 的时候，调制器的相位移动可以达到约 72 度。对于调制器相位改变量和归一化的输出强度的关系我们也进行了仿真，其仿真结果如图 4-3 (b)所示。通过仿真结果可以看到，当驱动电芯片的输出 Vpp摆幅设定为 4V 的时候，长度为 1mm 的调制器有源区可以产生约72 度的相位改变量，这时候根据图 4-3(b)可以推算出光强度可以从最高点的百分之百下降到约百分之六十。如果工作在 3dB 点，即线性工作点是其输出强度会在百分之二十到百分之八十之间变化。

基于上述分析结果，本文中的电驱动芯片驱动电压设置为 4V。电芯片的驱动内部电路结构如图 4-4(a)和(b)所示。图 4-4(a)为电信号输出为 OOK 或者两路OOK 光学合成 PAM4 的结构图。图 4-4(b)为输出电学 PAM4 信号的内部电路结构示意图。由图 4-4(a)可以看出，调制器的相位改变量和驱动电压的摆幅之间存在着非线性关系，即随着驱动电压幅度的增大相位改变量呈现非线性的增长。

基于上述电芯片我们测试了其不同工作模式下输出的电信号眼图。首先是电芯片输出为 OOK 信号时的输出眼图，其测试结果如图 4-5(a)所示。从 OOK 的测试结果可以看出，这一电芯片可以完美的支持 32G 波特率的 OOK 电信号输出。图 4-5(b)是电芯片输出为 PAM4 信号的电眼图，从结果可以看出电芯片可以输出清新的20Gbaud/s PAM4 电眼图。

在完成电芯片的测试和整体芯片打线后我们对整个集成发射机的光眼图进行测试。首先是 OOK 光眼图，在这一测试环境下电驱动芯片的单端信号输出电压直接输出到较长的 MZI 调制器上，其输出摆幅为 2V。我们测试了信号波特率为 32Gbaud/s下的光眼图，对于消光比为 5.2dB。其测试结果如图 4-6 所示：

由于电芯片的工作模式有两种，一是通过电芯片产生 PAM4 电信号进而驱动调制器调制出 PAM4 光眼图，另外一种是通过电芯片产生两路 OOK 电信号然后分别驱动分段 MZI 硅光调制器在光域上合成 PAM4 光眼图。两者各有利弊，前者可以获得较清晰的 PAM4 眼图，但是受限制于信号的输出摆幅难以获得较大的消光比。后者通过将两路 OOK 电信号分别同步驱动分段 MZI 调制器的两端，可以获得较大的有效调制电压，但是这种结构却对电芯片的同步和时延提出了较高的要求。两种情况下调制器的光眼图测试结果如图 4-7 所示：

上图中，由于直接输出的 PAM4 电信号的眼图摆幅有限所以其光眼图能实现的最高速率收到了限制。而光域合成的方案加载信号的有效摆幅较大，所以可以实现清晰的 25Gbaud PAM4 信号光眼图调制。本部分设计并加工完成了一个可重构的硅光发射机，通过打线的方式混合集成了一个基于 CMOS 工艺的驱动器和一个硅光调制器芯片。通过这一探索为未来实现高密度，低成本硅基电光单片集成打下了初步的基础。然而除了设计上的改进外，单片集成工艺的探索也非常重要。要实现国产化的硅光单片集成芯片任重而道远。 2. 单片集成的硅基波分复用(CWDM)发射机 硅光技术除了在电光单片集成领域具有巨大的优势外，在与其他无源器件的集成领域也有着巨大的优势。在有限的信道数量前提下，为了实现更大容量更高密度的通信一般采用波分复用技术(Wavelength division multiplexing，WDM)。在数通应用中一般采用粗波分复用(CWDM)方案，其通道波长间隔为 20nm。由于前文提到封装成本在光电子器件整体生产成本中占到了百分之七十的比重，而硅光芯片由于波导体系具有较大的折射率差非常有利于紧凑集成，所以非常有必要探索硅光工艺平台在CWDM 体系下的集成方案。本部分针对 100Gb/s QSFP 光模块的技术要求，将重点开展硅基调制芯片、CWDM合波器等技术的研究。预期要达到的目标与主要技术指标如下：(1)单片集成四个硅基 MZI 调制器、WDM 合波器及光耦合器；(2)调制器带宽大于 20GHz、消光比大于4dB 且整体插损小于 8dB。硅基 CWDM4 MUX 是 100G(4×25G)硅光收发芯片中用于合波与分波的元件，起到波分复用的作用。为实现激光器阵列的无热化工作，通道间隔必须达到 20nm，1dB 通道带宽需>10nm。要实现对通道波长的精准控制需要优化滤波器结构以降低对工艺精度的要求。O 波段 MUX 我们选择了级联 MZI 滤波器作为优选方案，该方案在PLC 平台上已经获得验证，并且 1dB 通道宽度较宽，插损很低，十分符合本部分所研芯片的要求。图 4-8(a)所示为我们集成芯片所采用的硅光 MUX，图 4-8(b)这一MUX 单元的 MUX 光谱曲线。有结果可以看出 MUX 的波长已和仿真结果基本相同，通道串扰也达到 15dB 以上。此外，四个通道的插损非常均衡，都约为 0.8dB 左右。

在完成各个部件的设计后，基于上述设计在 IME 的工艺平台完成了流片。图 4-9所示为 CWDM 硅基调制器芯片的显微镜图。其中所采用的调制器和 MUX 为上节所述结构，本节将介绍本芯片的插损和调制性能。

测试时输入和输出端采用的是楚星光纤购买的磨锥光纤，夹角为 90°±5°。四个通道的实测插损分别为 14.4dB、13.8dB、13.8dB 和 12.5dB。其中两端光耦合损耗为 7~8dB，调制器与 MUX 的损耗合计为约 5~7dB。在 28Gb/s 的速率下，驱动驱动电压 Vpp为 1.5V 即可实现 3dB 的动态消光比，Vpp为 2.5V 时动态消光比可达 6dB 以上。我们对该调制器芯片的传输特性进行了研究，搭建了 2km 单模光纤传输系统，实测 4×28Gb/s 的无误码灵敏度约为-8dBm，可满足100G CLR4/CWDM4 模块的要求。调制器的眼图测试结果如图 4-10 所示：

在完成了整个芯片各个功能单元的验证后，我们对芯片进行了封装，并对封装后模块的传输性能进行了验证。图 4-11 左边分别列出了在 28Gb/s 速率情况下调制器发端的光眼图和背对背情况下接收机端的电眼图。从眼图可以看出，发端和收端均具有良好的信号质量。由图 4-11 的误码率曲线可以看出，硅光发射机的灵敏度在-8dBm，这一灵敏度对于 2km 的应用场景有较大的余量。

3. 小结

硅光子技术在单片集成方面有着巨大的潜力，近些年来硅光子大规模集成技术不断的应用于单片光子链路、光子雷达、全光 ADC 和传感等领域。本章对硅光调制器的大规模集成技术进行了初步的探索，要实现大规模的硅光子集成芯片需要在芯片设计和加工工艺平台两个方面都具备条件。综合考虑国内的设计能力和加工工艺平台条件，本章选取两个方向作为研究出发点。第一是全硅基的混合光电集成发射机，通过金丝打线的方式我们将电驱动器芯片和光调制器芯片集成在一起，实现了全硅集成光发射机，并成功的调制出了清晰的 32Gbaud/s OOK 和 25Gbaud/s PAM4 光眼图。这一有益探索为未来进行单片电光集成打下了一定的基础。第二部分考虑到目前数据通信中 100G 光 CWDM4 光模块庞大的需求，为了降低芯片物料和封装成本，设计并加工测试了一款 CWDM4 光发射机芯片，芯片可以输出清晰稳定的 28G OOK 光眼图，并实现了 2km 的无误码传输。这一单片集成硅光芯片可以省去外部 CWDM 波分复用器的物料成本和耦合封装成本，展示出硅光集成芯片的优势。  本文来源论文： 100G 硅光调制器集成芯片研究—— 李淼峰

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