最近看了些谐波混频的论文,加上之前设计过几次不同类型的谐波混频器。不妨,来做个小结,看看有哪些常见的谐波混频的结构。
谐波混频器,即利用了本振信号的奇次或偶次谐波进行混频,而非基波。最直接的好处,就是对本振信号频率的要求从f,降为了f/N。多用在毫米波和太赫兹混频方案中,因为高频的高功率低相噪的信号源不易产生,或是成本较高。通过牺牲混频器的噪声和变频增益等性能,换取了对本振源要求的降低。同时由于基波本振与射频频率相差较大,一定程度也提高了隔离性能。这对于直接变频结构的接收机,低本振泄露无疑大大缓解了系统自混频的问题。
Sub-Harmonic Mixer, 缩写SHM。国内翻译,通常是次谐波混频器或者是分谐波混频器。我的理解,次有第二的意思,因此不特殊说明SHM是几次的话,默认就是二次(分)谐波混频器。特殊说明如:Quadruple SHM、Fourth-Harmonic Mixer或是 4th-SHM都指的是四次(分)谐波混频器;或者3× SHM指的是三次(分)谐波混频器。我觉得,翻译成次谐波混频更好听些,二次三次四次五次~谐波混频听起来很自然,分谐波听起来怪怪的。
二次谐波混频
(1) APDP based SHM
上图为利用反向并联二极管 (APDP),即Anti-Parallel Diode Pair来进行二次谐波混频的经典结构,这是SHM最广泛使用的结构。分析时,注意到本振频率约为射频频率的一半,那么四分之一波长@fLO就相当于二分之一波长@fRF,再结合开短路阻抗变换就不难分析上面的结构啦。以此为基础的改进电路结构也有很多,主要思路包括:利用各式滤波器来回收闲频信号、改进或者补偿APDP等以改善变频损耗;利用慢波结构等方法来减小开短路枝节的长度,使电路更紧凑;改善匹配结构来增大带宽;进一步利用双工器等结构来增强LO和RF的隔离等等。
(2) FET resistive SHM
上图为某60GHz电阻式FET混频器原理图。理论上,通过合理地设计滤波器,利用FET管的阻式非线性来提取N次LO与IF或RF的和/差,类似的这个结构可以设计任意次谐波混频器。
一些类似的单平衡阻式结构
Drain-pumped Resistive Mixer:
(3)Transconductance SHM
相比于电阻式,也可利用晶体管跨导的非线性来完成谐波混频。区别在于有源和无源,加电与不加电。电阻式中的FET不加电,可称为“cold FET”或“unbiased FET”,可参考(2)中最后一张图中,也即对应不同的bias point。
上图中,左侧RFin进去为一有源巴伦。
上面那些是gate pumped,也可以是source pumped或drain pumped,这三个词咋翻译好,如下图:
(4)Gilbert SHM
有论文把这类中有源的的又进一步的分为stacked-LO SHM、top-leveled-LO SHM以及bottom-leveled-LO。详细可参考多频带电路研究中第一篇论文。
Stacked-LO SHM
Top-Leveled-LO SHM
Bottom-Leveled-LO
此外,还有无源双平衡的Gilbert SHM,这个应该也可以归到前面电阻式中去。
Passive Gilbert SHM
贴了这么多原理图,而且那么多Gilbert单元,可能看起来比较乱。我也没有亲自仿真比较过,这些结构之间的差别,从论文中截一段文字来小结。
Passive Double-Balanced SHM
此外,下面这个也是无源双平衡SHM,咋归类好呢?
还有以APDP为基础的无源双平衡:
此外,还有以上面几类为基础的分布式的SHM,就当是上面的子类好啦,不放出来了。还有一些基础的,原理上可行的,实际不太会用的,如利用单管的非线性取谐波分量的等等,也不贴出来了。除此之外,暂时想不到什么结构了,欢迎补充。
四次谐波混频
类似二次,APDP也可以用来提取四次本振以混频。上面的原理图,主要还注意到了fRF-2fLO这个相对较强的Idle frequency,即闲置频率分量的recycling,即反射回收。话说,四次谐波混频是我本科毕业论文内容,是人生第一次流片,于我也蛮有意义的。下面这段文字,还是大四那会儿的笔记
类似二次的,四次source pumped SHM结构
其他的一些奇次谐波混频,频率大多比较高,也大多用的二极管之类的,在HMIC中更常见些,这期写的挺多了,先不写啦