50欧姆线设计 高频pcb_PCB阻抗为什么是50欧姆

大多数芯片驱动不了阻抗小于

50

欧姆的传输线

。(这个规则的特例是可以驱动

27

欧姆的

Rambus

，以及

National

的的

BTL

系列，它可以驱动

17

欧姆)并不是所有的情况都

是用

50

欧姆最好。例如，

8080

处理器的很老的

NMOS

结构，工作在

100KHz

，没有

EMI

，

串扰和电容性负载的问题，它也不能驱动

50

欧姆。对于这个处理器来说，高的阻抗意味着

低功耗，你要尽可能的用细的，高的这样有高阻抗的线。纯机械的角度也要考虑到。例如，

从密度上讲，多层板层间距离很小，

70

欧姆阻抗所需要的线宽工艺很难做到

。这种情况，

你应该用

50

欧姆，它的线宽更加宽

，更易于制造。

同轴电缆的阻抗又是怎么样的呢？在

RF

领域，和

PCB

中考虑的问题不一样

，但是

RF

工业中同轴电缆也有类似的阻抗范围。根据

IEC

的出版物

(

1967

年)，

75

欧姆是一个常

见的同轴电缆阻抗标准，

因为你

可以和一些常见的天线配置相匹配

。

它也定义了一种基于固

态聚乙烯的

50

欧姆电缆，因为对于

直径固定的外部屏蔽层和介电常数固定为

2.2

(固态聚

乙烯的介电常数)的时候，

50

欧姆阻抗趋肤效应损耗最小

。你可以从基本的物理学来证明

50

欧姆是最好的，电缆的趋肤效应损耗

L

(以分贝做单位)和总的趋肤效应电阻

R

(单位长

度)除以特性阻抗

Z0

成正比。总的趋肤效应电阻

R

是屏蔽层和中间导体电阻之和。屏蔽层

的趋肤效应电阻在高频时，和它的直径

d2

成反比。同轴电缆内部导体的趋肤效应电阻在高

频时，和他的直径

d1

成反比。总共的串联电阻

R

，因此和

(1/d2

+1/d1)

成正比。综合这些

因素，给定

d2

和相应的隔离材料的介电常数

ER

，你可以用以下公式来减少趋肤效应损耗。

在任何关于电磁场和微波的基础书中，你都可以找到

Z0

是

d2

，

d1

和

ER

的函数

把公式

2

带入公式

1

中，分子分母同时乘以

d2,

整理得到

公式

3

分离出常数项

( /60)*(1/d2),

有效的项

((1+d2 /d1 )/ln(d2 /d1 ))

确定最小点。仔细查

看公式三公式的最小值点仅由

d2 /d1

控制，

和

ER

以及固定值

d2

无关。

以

d2 /d1

为参数，

为

L

做图，显示

d2 /d1=3.5911

时，取得最小值。假定固态聚乙烯的介电常数为

2.25

，

d2

/d1=3.5911

得出特性阻抗为

51.1

欧姆。

很久之前，

无线电工程师为了方便使用，

把这个值

近似为

50

欧姆作为同轴电缆最优值。这证明了在

50

欧姆

附近，

L

是最小的。但这并不影

响你使用其他阻抗。例如，你做一个

75

欧姆的电缆，有着同样的屏蔽层直径和绝缘体，趋

肤效应损耗会增加

12%

。

不同的绝缘

体，

用最优

d2 /d1

比例产生的最优阻抗会略有不同。

评论

：

花了一个多小时翻译了这篇文章，以前一直都说阻抗匹配啊，什么

50

欧姆，

75

欧姆啊，但

是确无法说出原因来。凡是最会是有原因的，这篇文章很好的解释了用

50

欧姆的原因，由

来。